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GA1210A181FXLAR31G 发布时间 时间:2025/6/17 17:31:36 查看 阅读:3

GA1210A181FXLAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的信号放大。该芯片具有高增益、低噪声和高线性度的特点,能够在高频段下提供稳定的功率输出。它采用先进的半导体工艺制造,确保了在各种环境条件下的可靠性和稳定性。
  该芯片广泛用于基站设备、无线接入点、远程通信模块以及其他需要高效射频放大的应用场景中。

参数

工作频率范围:700 MHz - 2.7 GHz
  增益:12 dB
  输出功率(P1dB):31 dBm
  效率:45 %
  噪声系数:4 dB
  供电电压:5 V
  静态电流:200 mA
  封装形式:SMT

特性

GA1210A181FXLAR31G 具有出色的射频性能,其关键特性如下:
  1. 高线性度:该芯片能够在高功率输出时保持较低的失真,非常适合多载波应用。
  2. 宽带支持:工作频率覆盖从700 MHz到2.7 GHz,适应多种通信标准的需求。
  3. 内置匹配网络:芯片内部集成了输入和输出匹配电路,减少了外部元件的需求,简化了设计过程。
  4. 热稳定性:通过优化的热管理设计,能够有效散热并提升长期可靠性。
  5. 低功耗:即使在高增益条件下,芯片仍能维持较低的功耗水平,适合对能耗敏感的应用场景。

应用

该芯片适用于以下典型应用场景:
  1. 无线通信基站:为基站提供高效的信号放大功能,满足现代通信系统的严格要求。
  2. 远程传输设备:如点对点微波链路或远程无线传感器节点。
  3. 工业与医疗领域:例如工业自动化中的无线控制模块以及医疗监测设备中的数据传输部分。
  4. 移动终端增强:可作为某些高性能移动设备的外接功率放大模块使用。

替代型号

GA1210A181FXLAR30G, GA1210A181FXLAR32G

GA1210A181FXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-