时间：2025/7/25 11:27:45
阅读：6
DTS3401是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻和高开关性能，适用于需要高效率和高性能的电源系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：20V（最大值）
漏极电流（Id）：4.1A（最大值，25°C）
导通电阻（Rds(on)）：58mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
封装形式：SOP-8
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（Pd）：2.5W（最大值）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
漏极电容（Ciss）：720pF（典型值）
DTS3401采用了东芝的先进沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间工作，使其适用于多种电源管理应用。此外，DTS3401具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高系统的动态响应性能。
DTS3401的SOP-8封装形式提供了良好的散热性能，同时节省PCB空间，非常适合高密度电源设计。该器件的高耐压能力和良好的热稳定性使其能够在严苛的环境中稳定工作。此外，DTS3401具有较低的栅极电荷，有助于提高开关速度并减少驱动损耗。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较高的电流冲击，适用于需要高可靠性的应用。其内部结构优化设计也减少了寄生电感和电容的影响，提高了器件在高频开关条件下的稳定性。
DTS3401常用于电源管理系统中的开关元件，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统（BMS）。在汽车电子应用中，该器件可用于车载充电器、LED照明驱动和电机控制电路。此外，DTS3401也适用于工业自动化设备、通信电源模块以及消费类电子产品中的高效电源设计。
Si2302DS, FDS6675, BSS138K
