时间：2025/4/27 18:23:16
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TPT1145NQ 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SO-2R 封装形式。该器件适用于多种开关应用，包括电源管理、电机驱动和负载切换等场景。其低导通电阻和高开关速度特性使其成为高性能功率转换的理想选择。
该型号的 TPT1145NQ 特别针对汽车级应用设计，符合 AEC-Q101 标准，具有良好的抗浪涌能力和高温稳定性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间（开启/关闭）：12ns/32ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
TPT1145NQ 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下仍能可靠工作。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 提供出色的热稳定性和电气性能，特别适合严苛环境下的应用。
6. 小巧的 SO-2R 封装节省了 PCB 空间，同时具备优秀的散热能力。
TPT1145NQ 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载切换和电机控制。
2. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率开关。
5. LED 驱动器和逆变器。
6. 各类需要高效功率转换的消费类电子产品。
TPT1145N, IRF1145, AO1145
