时间：2025/5/28 20:44:59
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TSM60N03CP是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝公司生产。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点，适用于多种电源管理和功率转换应用场合。
这款MOSFET的主要特点是其出色的效率和可靠性，使其成为许多电子设计中的理想选择。它通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：ton=17ns, toff=14ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
TSM60N03CP具有非常低的导通电阻，仅为5.5mΩ，这使得它的传导损耗大大降低，从而提高了整个系统的效率。
该器件还具备快速的开关速度，能够有效减少开关损耗。同时，其栅极电荷较低，意味着驱动功耗也较小。
此外，TSM60N03CP的工作温度范围宽广，适应于各种严苛环境下的应用。由于其坚固的设计和高可靠性，它在工业控制、汽车电子及消费类电子产品领域都有广泛应用。
TSM60N03CP采用TO-252(DPAK)封装形式，这种封装不仅散热性能良好，而且便于安装和使用，非常适合表面贴装技术(SMT)装配流程。
TSM60N03CP广泛应用于各类需要高效功率转换的场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器；
2. DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构；
3. 各种类型的负载开关和保护电路；
4. 小型电机驱动和控制电路；
5. 电池管理与保护系统，特别是在便携式设备中。
凭借其卓越的性能表现，TSM60N03CP成为这些应用的理想选择之一。
TSM50N03CP, TSM70N03CP
