工作电压：5.5V
　　钳位电压：典型值为8V（在IEC 61000-4-2 Level 4条件下）
　　反向击穿电压：最小5.8V
　　最大反向漏电流：100nA @ 5.5V
　　响应时间：小于1ns
　　电容（典型值）：0.3pF @ 0V, 1MHz
　　引脚数量：6
　　封装类型：DFN1006（1.0mm x 0.6mm）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C

DTESDB5VOLED02 具备极低的寄生电容（0.3pF），这使得它非常适合用于高速信号线路的保护，不会对信号完整性造成影响。其快速响应时间（小于1纳秒）确保在静电放电事件发生时能迅速钳制电压，从而保护下游的敏感电子元件。
　　该器件的工作电压为5.5V，适用于5V及以下的系统应用。反向击穿电压最低为5.8V，确保在正常工作电压范围内不会触发保护机制，同时在发生ESD事件时能够有效钳位电压，防止损坏OLED显示屏驱动电路。
　　DTESDB5VOLED02 的漏电流极低（最大100nA），在工作电压下不会对系统的功耗产生明显影响，非常适合用于低功耗设计。其采用的DFN1006封装非常小巧，有助于节省电路板空间，便于在高密度PCB布局中使用。
　　该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能够承受高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的ESD冲击，确保在恶劣环境中依然具备可靠的保护能力。其工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于各种工业和消费类应用环境。

DTESDB5VOLED02 主要用于保护OLED显示屏的高速信号线路，例如MIPI DSI、LVDS等接口。它广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，以提高OLED屏幕的抗静电能力，防止因静电放电导致的显示异常或永久损坏。
　　此外，该器件也可用于其他需要低电容和高ESD保护性能的高速信号线路保护，如摄像头接口、触控屏控制器线路、USB 2.0和HDMI等高速数字接口。其小巧的封装形式和优异的电气性能使其成为高密度电子系统中理想的ESD保护解决方案。
　　由于其出色的ESD耐受能力和低漏电流特性，DTESDB5VOLED02 也适用于电池供电设备中的信号线路保护，帮助延长设备的电池寿命并提升整体可靠性。

NXP Semiconductors 的 ESD55211、STMicroelectronics 的 ESDA6V1-5BO3、Infineon Technologies 的 ESD3044-3、ON Semiconductor 的 NUP4201