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DTDG14GPT100 发布时间 时间:2025/5/9 15:35:12 查看 阅读:5

DTDG14GPT100是一款高性能的IGBT模块,主要应用于工业控制、变频器、太阳能逆变器以及各类功率转换系统中。该模块采用了先进的IGBT芯片技术与优化的封装设计,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提升了整体系统的效率。此外,它还内置了过温保护和反向二极管,增强了产品的可靠性和安全性。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:100A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
  门极阈值电压:3.5V~5.5V
  开关频率:最高可达20kHz
  结温范围:-40℃~150℃
  封装形式:焊接型模块
  绝缘耐压:≥2500VAC

特性

1. DTDG14GPT100采用第6代或更先进IGBT芯片技术,具备更低的开关损耗和导通压降。
  2. 内置快速恢复二极管,具有低正向压降和高浪涌电流能力。
  3. 高效散热设计,支持高功率密度应用。
  4. 提供全面的保护功能,如过流、短路和过温保护,确保在极端条件下的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适应多种工业环境要求。

应用

DTDG14GPT100广泛应用于各种功率转换场合,包括但不限于以下领域:
  1. 工业变频器:用于电机驱动及速度控制。
  2. 新能源发电:太阳能逆变器的核心功率器件。
  3. 不间断电源(UPS):提供高效的电力备份解决方案。
  4. 电动汽车充电桩:用于直流快充和功率调节。
  5. 焊接设备和其他高功率电子设备:实现精确的功率控制和高效能量转换。

替代型号

FGH100R12KT4, CSD19538KTT, IRGB40B12DPBF

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DTDG14GPT100参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 500mA,2V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换80MHz
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTDG14GPT100TR