型号：MB1504PF-G-BND-ER
　　制造商：Renesas Electronics
　　封装类型：QFN-40 (6x6)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　电源电压：3.0V 至 3.6V（推荐3.3V）
　　输出频率范围：1.8 GHz 至 3.2 GHz
　　分频比：整数N分频，N = 1 到 8191
　　参考输入频率：最高可达200 MHz
　　相位检测器频率：最高100 MHz
　　串行接口类型：3线/4线SPI兼容
　　电荷泵输出电流：可编程，典型值1.5 mA至5 mA
　　锁定检测功能：支持
　　功耗：典型值35 mW @ 3.3V
　　调谐灵敏度：低相位噪声设计
　　输出波形类型：差分ECL/PECL兼容

MB1504PF-G-BND-ER具备卓越的射频性能与高度集成的设计特点，使其成为高端无线基础设施、点对点微波通信、测试测量仪器及宽带收发系统中的理想选择。其核心优势之一是内置了高性能的双模预分频器（Prescaler），支持高达3.2GHz的VCO输入频率，配合灵活的N计数器架构，能够实现精细的频道步进分辨率，适用于多频段跳变和高密度信道划分的应用场景。该芯片的串行控制接口支持高速数据写入，并允许用户动态调整分频比、参考分频系数以及电荷泵极性等关键参数，从而优化锁定时间和环路稳定性。此外，其可编程电荷泵电流功能有助于匹配外部环路滤波器阻抗，进一步提升系统的相位噪声表现和抗干扰能力。
　　另一个显著特性是芯片内建的锁定检测（Lock Detect）电路，能够实时监测PLL是否已成功锁定目标频率，并通过专用引脚输出状态信号，便于主控单元进行故障诊断或自动校准操作。此功能在无人值守或远程部署系统中尤为重要，能有效提高系统可靠性和维护效率。同时，MB1504PF-G-BND-ER采用了先进的低噪声BiCMOS工艺，在保持高频运行能力的同时将内部噪声源降至最低，确保输出信号具有优异的相位噪声性能，典型值在10kHz偏移下可达到-110dBc/Hz量级，满足严苛的通信标准需求。
　　该器件还具备良好的电磁兼容性（EMC）设计，QFN封装不仅节省PCB面积，而且提供了优良的散热路径和接地性能，有助于减少高频寄生效应。所有输入/输出引脚均经过ESD保护设计，增强了现场使用的鲁棒性。此外，芯片支持低功耗待机模式，可通过串行接口关闭部分内部电路以降低静态功耗，适用于电池供电或绿色节能型设备。整体而言，MB1504PF-G-BND-ER凭借其高集成度、灵活性和稳定性，为工程师提供了一个高效可靠的频率合成解决方案。

MB1504PF-G-BND-ER主要应用于需要高性能频率合成能力的通信和射频系统中。典型应用场景包括蜂窝基站射频单元（RRU）、微波回传链路、卫星通信终端、雷达系统前端、软件定义无线电（SDR）平台以及高精度信号发生器等。在5G无线基础设施建设中，该芯片可用于本振信号生成模块，驱动混频器完成上变频或下变频处理，支持Sub-6GHz频段的操作需求。由于其支持快速频率切换和窄带通道间隔，也适用于跳频扩频（FHSS）系统或多载波聚合环境下的本地振荡器构建。
　　在测试与测量领域，该器件被广泛用于矢量网络分析仪、频谱仪和合成信号源中，作为核心的频率控制元件，提供稳定且低抖动的时钟基准。其优异的相位噪声特性和长期频率稳定性确保了测量结果的准确性和重复性。此外，在航空航天与国防电子系统中，如电子战设备、战术通信电台和导航系统，MB1504PF-G-BND-ER因其高可靠性与宽温工作能力而受到青睐。
　　工业与医疗设备中也有其用武之地，例如高端超声成像系统需要精确可控的激励信号源，该芯片可通过与压控振荡器（VCO）配合构成完整锁相环路，实现MHz级频率的精准调控。同时，在光通信模块中，它也可用于时钟恢复电路或波长锁定单元，辅助实现高速数据传输的同步处理。总之，凡是对频率精度、锁定速度和噪声性能有较高要求的系统，均可考虑采用MB1504PF-G-BND-ER作为核心频率合成器件。

MB1504SPF-G-E
　　MB1504RA-G-NER
　　MB15E07SL-PNER