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DTC623TKT146 发布时间 时间:2025/7/1 7:37:30 查看 阅读:8

DTC623TKT146是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用常关型(enhancement mode)结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-247,能够承受较高的电流和电压负载,广泛应用于电源转换、电机驱动以及工业自动化领域。
  这款晶体管通过优化栅极驱动参数和热管理性能,能够在高频条件下保持较低的开关损耗。同时,由于其材料特性,它在高温环境下也表现出色,适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:23A
  导通电阻:140mΩ
  栅极阈值电压:2V~4V
  工作温度范围:-55℃~+175℃
  封装形式:TO-247

特性

DTC623TKT146具备以下显著特性:
  - 高效的氮化镓技术,提供更低的开关损耗和更高的能效。
  - 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
  - 快速的开关速度,支持高频操作,适用于高频率DC-DC转换器等应用。
  - 增强模式设计,确保默认状态下关闭以提高安全性。
  - 高温稳定性,允许在极端环境温度下运行而不影响性能。
  - 优秀的热管理和散热能力,延长了产品的使用寿命。
  - 兼容传统硅基MOSFET的驱动电路,简化设计迁移过程。

应用

DTC623TKT146主要应用于以下领域:
  - 高效电源转换系统,如AC-DC适配器和USB-PD快充模块。
  - 工业级电机驱动器,包括伺服系统和变频控制器。
  - 数据中心及通信设备中的电源管理单元。
  - 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  - 汽车电子领域,例如车载充电器和电动助力转向系统。
  - 各种需要高频、高效工作的功率变换场景。

替代型号

DTC623TKT147, DTC622TKT146

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DTC623TKT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC623TKT146-NDDTC623TKT146TR