TGF2022-60 时间：2025/8/16 0:23:36 阅读：2

TGF2022-60 是一种 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高功率射频（RF）应用而设计。该器件由 TriQuint（现为 Qorvo）生产，适用于雷达、测试设备、通信系统和其他需要高功率和高频性能的领域。TGF2022-60 在 2 GHz 至 6 GHz 的频率范围内工作，具有出色的线性度和效率，使其成为现代射频系统中的理想选择。

参数

频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　输出功率：典型值为 150 W（脉冲模式）
　　增益：18 dB（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　工作模式：脉冲或连续波（CW）
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　输入/输出阻抗：50Ω

特性

TGF2022-60 采用先进的 GaN HEMT 技术，具有优异的高频性能和热稳定性。其高功率密度和高效率使其成为高功率射频放大器应用的理想选择。
　　GaN 技术赋予该器件出色的耐用性和热管理能力，能够在高工作电压下保持稳定性能。此外，TGF2022-60 的设计优化了其在 2 GHz 至 6 GHz 频段的增益和输出功率表现，适用于宽带和窄带应用。
　　该器件在脉冲模式下可提供高达 150 W 的输出功率，并具有 18 dB 的典型增益，确保了信号的高保真放大。其漏极电压为 65 V，支持高效能操作，适用于连续波（CW）和脉冲模式。
　　TGF2022-60 的陶瓷金属封装不仅提供了良好的热管理，还增强了器件在高功率环境下的可靠性。输入和输出阻抗为 50Ω，便于与射频系统的其他组件进行匹配，确保信号传输的稳定性。
　　综上所述，TGF2022-60 是一款高性能的 GaN 射频功率晶体管，适用于多种高要求的射频应用。