时间：2025/7/2 13:06:00
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GA1812A681JBEAT31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的封装设计，具备低导通电阻和快速开关性能，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其它高性能功率转换应用。
这款 GaN 晶体管利用增强型场效应晶体管（e-mode FET）结构，提供卓越的功率密度和系统效率，同时简化了电路设计并减少了外围元件的需求。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：15A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：80nC
反向恢复时间：无（由于零反向恢复特性）
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247-4L
GA1812A681JBEAT31G 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压和低导通电阻，确保在高功率应用场景下保持高效运行。
2. 极快的开关速度和零反向恢复电荷，显著降低开关损耗。
3. 增强型模式（e-mode）操作无需额外偏置电路，简化设计流程。
4. 内置ESD保护功能，提升器件在实际使用中的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
GA1812A681JBEAT31G 主要应用于以下领域：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 开关电源模块。
2. 电动车充电设备中的功率转换电路。
3. 工业级电机驱动及可再生能源逆变器。
4. 数据中心服务器电源和其他高性能计算环境下的供电解决方案。
5. 快速充电适配器及其他消费类电子产品中的高效能电源管理单元。
GA1812A681JBETA31G
GA1812A681JBEAT32G
