时间：2025/6/12 16:06:55
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IRLR220ATM是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景中。
这款MOSFET适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等应用领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：81A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：26nC
开关时间：开启延迟时间 9ns，上升时间 7ns；关断传播时间 11ns，下降时间 6ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IRLR220ATM具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著降低功耗。同时，其快速的开关速度有助于提高系统的整体效率。
此外，该器件具备良好的热稳定性和耐热循环能力，能够在恶劣的工作环境下保持性能。
由于其逻辑电平驱动设计，IRLR220ATM可以直接与大多数微控制器或逻辑电路连接，而无需额外的驱动级，从而简化了电路设计并降低了成本。
该器件采用了TO-252 (DPAK) 封装形式，这种封装不仅散热性能优越，而且便于表面贴装生产流程。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场合，例如：
1. 开关电源中的同步整流
2. 直流电机控制
3. 电池保护电路
4. 各种负载切换功能
5. 高效功率转换模块
凭借其优异的电气特性和可靠性，IRLR220ATM成为许多高性能电力系统设计的理想选择。
IRLR220APBF, IRLR220A
