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DTC143EMT2L 发布时间 时间:2025/5/8 14:20:44 查看 阅读:7

DTC143EMT2L 是一款基于硅基材料的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换场景。其封装形式通常为表面贴装类型,便于自动化生产和高效散热。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  反向恢复时间:17ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

DTC143EMT2L 的主要特性包括低导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率;快速的开关速度,使其适合高频操作环境;具备出色的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能;内置防静电保护机制以增强器件的鲁棒性。
  此外,它还拥有较低的栅极电荷,有助于降低驱动功耗,并且其优化的封装设计能够提供高效的热量散发能力。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器、逆变器等电力电子设备中。在消费电子领域,它可用于笔记本电脑适配器和智能手机快充模块;工业应用方面,则适合伺服驱动器、不间断电源(UPS)以及太阳能微型逆变器等场合143EMT2L 可用于车载充电器、LED 驱动及电动助力转向系统(EPS)。

替代型号

DTC143EML2L
  DTC144EMT2L
  IRF7739TRPBF

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DTC143EMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC143EMT2L-NDDTC143EMT2LTR