时间：2025/5/23 11:01:44
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VG039NCHXTB304是一款高性能的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电源转换应用。其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：15A
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：35nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 超快的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能力，提高系统的可靠性和稳定性。
4. 小型化的封装设计，节省PCB空间。
5. 优异的热性能，支持高功率密度设计。
6. 宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境条件。
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