DTC115EKAT146是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-220,适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,主要特点是能够在高频工作条件下提供卓越的效率和稳定性,同时支持大电流负载,是现代电子设计中不可或缺的关键元件。
型号:DTC115EKAT146
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-220
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):115A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):178W
工作结温范围:-55℃至+175℃
DTC115EKAT146具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 热阻较低,能够有效管理热量,延长使用寿命。
5. 符合RoHS标准,环保且适用于全球市场。
6. 良好的动态和静态性能,确保稳定运行。
这些特性使DTC115EKAT146成为多种工业和消费类应用的理想选择。
DTC115EKAT146适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
3. 电机控制和驱动,例如家用电器、电动工具和工业自动化。
4. 电池管理系统(BMS),用于保护和优化电池性能。
5. 可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电控制器。
6. 各种负载开关和保护电路,提供过流和短路保护功能。
由于其出色的性能和可靠性,该器件可满足不同行业对高效功率转换和控制的需求。
DTC115EKAT1G92, IRF1150N, FDP115AN