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DTC115EKAT146 发布时间 时间:2025/5/15 14:17:42 查看 阅读:9

DTC115EKAT146是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式为TO-220,适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,主要特点是能够在高频工作条件下提供卓越的效率和稳定性,同时支持大电流负载,是现代电子设计中不可或缺的关键元件。

参数

型号:DTC115EKAT146
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TO-220
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):115A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):178W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

DTC115EKAT146具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频应用,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
  4. 热阻较低,能够有效管理热量,延长使用寿命。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于全球市场。
  6. 良好的动态和静态性能,确保稳定运行。
  这些特性使DTC115EKAT146成为多种工业和消费类应用的理想选择。

应用

DTC115EKAT146适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC-DC适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子和通信设备中的电压调节。
  3. 电机控制和驱动,例如家用电器、电动工具和工业自动化。
  4. 电池管理系统(BMS),用于保护和优化电池性能。
  5. 可再生能源系统,如太阳能逆变器和风力发电控制器。
  6. 各种负载开关和保护电路,提供过流和短路保护功能。
  由于其出色的性能和可靠性,该器件可满足不同行业对高效功率转换和控制的需求。

替代型号

DTC115EKAT1G92, IRF1150N, FDP115AN

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DTC115EKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)82 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC115EKAT146TR