时间：2025/9/2 11:48:18
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H5TQ4G63EFR-RDC 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器，广泛用于需要快速数据处理和存储的设备中，例如PC、服务器、嵌入式系统等。H5TQ4G63EFR-RDC 的容量为4Gb（Gigabit），采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装形式，具备低功耗和高稳定性的特点。
容量：4Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.35V - 1.5V
数据速率：1600Mbps
接口类型：x16
时钟频率：800MHz
工作温度范围：0°C 至 85°C
H5TQ4G63EFR-RDC 采用先进的DRAM制造工艺，具有高密度存储能力和卓越的性能表现。其低电压设计有助于降低功耗，使其适用于对能效要求较高的设备。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，以确保数据的稳定性和持久性。此外，H5TQ4G63EFR-RDC 具备良好的热管理和电气稳定性，能够在高温环境下保持正常运行。其x16的数据接口提供了较高的带宽利用率，适用于需要高速数据传输的应用场景。FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了芯片的机械稳定性和散热性能。
H5TQ4G63EFR-RDC 广泛应用于多种电子设备，包括台式机、笔记本电脑、服务器、工业计算机、嵌入式系统以及网络设备。它也常见于需要大容量内存和高性能计算的场合，如图形处理、数据中心服务器、虚拟化平台等。
H5TQ4G63EFR-RDC 可以使用 H5TQ4G63FFR-RDC、H5TQ4G63GFR-RDC、H5TQ4G63EFR-H9C 等型号作为替代，具体需根据实际应用需求进行选择。
