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H5TQ4G63EFR-RDC 发布时间 时间:2025/9/2 11:48:18 查看 阅读:12

H5TQ4G63EFR-RDC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高密度、高性能的存储器,广泛用于需要快速数据处理和存储的设备中,例如PC、服务器、嵌入式系统等。H5TQ4G63EFR-RDC 的容量为4Gb(Gigabit),采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,具备低功耗和高稳定性的特点。

参数

容量:4Gb
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  工作电压:1.35V - 1.5V
  数据速率:1600Mbps
  接口类型:x16
  时钟频率:800MHz
  工作温度范围:0°C 至 85°C

特性

H5TQ4G63EFR-RDC 采用先进的DRAM制造工艺,具有高密度存储能力和卓越的性能表现。其低电压设计有助于降低功耗,使其适用于对能效要求较高的设备。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,以确保数据的稳定性和持久性。此外,H5TQ4G63EFR-RDC 具备良好的热管理和电气稳定性,能够在高温环境下保持正常运行。其x16的数据接口提供了较高的带宽利用率,适用于需要高速数据传输的应用场景。FBGA封装形式不仅提高了封装密度,还增强了芯片的机械稳定性和散热性能。

应用

H5TQ4G63EFR-RDC 广泛应用于多种电子设备,包括台式机、笔记本电脑、服务器、工业计算机、嵌入式系统以及网络设备。它也常见于需要大容量内存和高性能计算的场合,如图形处理、数据中心服务器、虚拟化平台等。

替代型号

H5TQ4G63EFR-RDC 可以使用 H5TQ4G63FFR-RDC、H5TQ4G63GFR-RDC、H5TQ4G63EFR-H9C 等型号作为替代,具体需根据实际应用需求进行选择。

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