IRF9610STRRPBF是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的P沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,适合高效率、高密度电源设计。IRF9610STRRPBF采用8引脚PowerPAK SO-8封装,具有紧凑的体积,适合在空间受限的应用中使用。
类型:P沟道MOSFET
漏极-源极电压(VDS):-60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):-4.1A
脉冲漏极电流(IDM):-16A
导通电阻(RDS(on)):27mΩ(典型值,VGS = -10V)
导通电阻(RDS(on)):40mΩ(典型值,VGS = -4.5V)
功率耗散(PD):3.5W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
IRF9610STRRPBF采用了先进的Trench沟槽技术,使得其在导通电阻和开关性能之间取得了良好的平衡。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗,提高电源系统的整体效率。此外,该器件的封装设计优化了热管理性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。
该MOSFET具备较高的栅极耐压能力(±20V),增强了在高压环境下的可靠性和抗干扰能力。由于其在VGS较低时(如-4.5V)仍能保持较低的导通电阻,IRF9610STRRPBF非常适合用于由微控制器或逻辑电路直接驱动的应用场景。
此外,IRF9610STRRPBF具有良好的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,从而提高系统的鲁棒性。其紧凑的PowerPAK SO-8封装不仅节省空间,还简化了PCB布局,并提高了系统的机械强度。
IRF9610STRRPBF广泛应用于各种电源管理及功率控制领域,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备的电源控制以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其优异的导通特性和高可靠性,它也非常适合用于汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的高效电源模块设计。
Si9410BDY-E3、IRF9611STRRPBF、FDV304P、AO4403、FDC6303