时间：2025/7/29 11:44:10
阅读：29
IRF9610STRRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的P沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适合高效率、高密度电源设计。IRF9610STRRPBF采用8引脚PowerPAK SO-8封装，具有紧凑的体积，适合在空间受限的应用中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：-60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-4.1A
脉冲漏极电流（IDM）：-16A
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（典型值，VGS = -10V）
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRF9610STRRPBF采用了先进的Trench沟槽技术，使得其在导通电阻和开关性能之间取得了良好的平衡。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提高电源系统的整体效率。此外，该器件的封装设计优化了热管理性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。
该MOSFET具备较高的栅极耐压能力（±20V），增强了在高压环境下的可靠性和抗干扰能力。由于其在VGS较低时（如-4.5V）仍能保持较低的导通电阻，IRF9610STRRPBF非常适合用于由微控制器或逻辑电路直接驱动的应用场景。
此外，IRF9610STRRPBF具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，从而提高系统的鲁棒性。其紧凑的PowerPAK SO-8封装不仅节省空间，还简化了PCB布局，并提高了系统的机械强度。
IRF9610STRRPBF广泛应用于各种电源管理及功率控制领域，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备的电源控制以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其优异的导通特性和高可靠性，它也非常适合用于汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的高效电源模块设计。
Si9410BDY-E3、IRF9611STRRPBF、FDV304P、AO4403、FDC6303
