时间：2025/5/23 10:57:22
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DTC114TE是一款由Vishay公司生产的双通道N沟道MOSFET晶体管。该器件采用SO-8封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于功率管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能开关的应用场景。
由于其出色的性能和可靠性，DTC114TE被广泛应用于消费类电子、工业设备以及通信设备中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：550mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
DTC114TE采用了先进的半导体制造工艺，具备以下特点：
1. 高效的开关性能，适合高频应用。
2. 极低的导通电阻Rds(on)，能够有效降低功耗。
3. 内置反向二极管，有助于保护电路免受反向电流的影响。
4. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
5. 耐热增强型SO-8封装，改善了散热性能并提高了系统的可靠性。
6. 稳定的工作特性和较高的抗静电能力（HBM > 2kV）。
DTC114TE凭借这些优异的特性，成为众多工程师在设计中的首选元件。
DTC114TE适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。器中的功率开关。
3. 消费类电子产品中的负载开关控制。
4. 工业自动化系统中的信号切换。
5. LED驱动电路中的开关元件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
7. 各种电机驱动和继电器控制电路。
这款器件因其卓越的性能和灵活性，几乎可以适应任何需要高性能MOSFET的应用场合。
DTC114E, DTC114SE
