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H9YA1GA1GHMYAR-2YM 发布时间 时间:2025/9/1 22:06:16 查看 阅读:6

H9YA1GA1GHMYAR-2YM 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其高密度存储器产品线。这款芯片主要用于需要高速数据处理和大容量内存的应用,例如服务器、网络设备、工业控制系统以及高性能计算设备。H9YA1GA1GHMYAR-2YM采用了先进的制造工艺和封装技术,以确保在高频率下运行的稳定性和可靠性,同时保持较低的功耗。该芯片具有1Gb的存储容量,并支持高速数据传输,适用于需要实时处理和大数据吞吐量的场景。

参数

容量:1Gb
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  电压:2.3V - 3.6V
  数据传输速率:最高可达166MHz
  组织结构:1M x 8 / 512K x 16 / 256K x 32
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54针TSOP
  访问时间:最大5.4ns
  刷新模式:自动刷新/自刷新

特性

H9YA1GA1GHMYAR-2YM是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,具备出色的稳定性和可靠性,适用于高要求的工业和通信应用。其高存储密度和快速访问时间使其成为需要大量数据缓存和处理的系统的理想选择。
  H9YA1GA1GHMYAR-2YM采用TSOP封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够有效降低功耗,延长数据保存时间,适用于需要长时间运行的设备。此外,其宽泛的工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境中稳定工作。
  该芯片支持多种数据宽度配置(8位、16位和32位),提高了其在不同系统架构中的兼容性和灵活性。通过高速数据传输能力,H9YA1GA1GHMYAR-2YM可以满足对实时性能要求较高的应用需求,如视频处理、网络交换和嵌入式系统。

应用

H9YA1GA1GHMYAR-2YM广泛应用于工业控制系统、通信设备、消费类电子产品、测试仪器以及汽车电子系统。该芯片特别适用于需要高性能内存解决方案的嵌入式系统、数据采集设备和图像处理系统。此外,它也可用于路由器、交换机、安防监控设备等网络设备中,提供高速缓存和临时数据存储功能。

替代型号

H9Y11U1AAMR-2CM0
  H9Y11U1AAMR-2CM0
  HY57V161610AFP-6A

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