类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：17A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.45Ω
　　封装形式：PG-TO247-3
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷(Qg)：约90nC
　　短路耐受能力：支持

IPTG017N12NM6 的核心优势在于其出色的导通与开关损耗平衡。其导通电阻Rds(on)仅为1.45Ω，在高电压条件下依然保持良好的能效表现，这使其在高频开关应用中表现出色。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性和过载能力，能够承受较大的瞬态电流，并具备一定的短路耐受能力，从而提高系统的可靠性。
　　该MOSFET采用了先进的Trench Gate工艺，优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性。同时，它具备快速恢复的体二极管，适用于需要反向能量回馈的应用场景。
　　IPTG017N12NM6 还通过了AEC-Q101汽车级认证，适合用于严苛环境下的汽车动力系统及车载充电设备。

该MOSFET广泛应用于电动汽车(EV)充电桩、车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、工业电机驱动器以及各种高效能DC-AC/AC-DC转换器等电力电子装置中。
　　特别是在高电压、中等功率的场合，如SiC/GaN混合型功率模块设计中，IPTG017N12NM6 凭借其良好的热管理和动态性能，成为一款理想的主控开关器件。
　　此外，该器件也可用于智能电网基础设施中的功率调节单元、电池管理系统(BMS)以及能源存储系统中的高压直流开关控制电路。

IPW60R045CFD7, SPW60R045C3, IPP017N12N5