类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：18A（在Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247

MDQ18N50GTH具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其500V的漏源电压额定值使其适用于高压电源系统。同时，最大导通电阻仅为0.25Ω，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET的连续漏极电流能力达到18A，适用于需要高电流处理能力的电路设计。
　　该器件采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度的设计。封装形式也确保了其机械强度和安装的稳定性。MDQ18N50GTH的工作温度范围宽，从-55℃到150℃，适用于工业级和恶劣环境下的应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同驱动条件下灵活使用。
　　该器件还具备出色的开关性能，能够支持高频工作，从而减少开关损耗并提高系统的整体效率。其快速的开关特性也使其适用于PWM控制、电机驱动和电源转换等应用。此外，MDQ18N50GTH内置了保护机制，如过温保护和过流保护，有助于提高系统的稳定性和可靠性。

MDQ18N50GTH适用于多种高功率和高频应用场景。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和功率放大器。由于其高电压和高电流能力，该MOSFET也常用于工业自动化设备、家用电器、照明系统和新能源设备中。
　　在开关电源设计中，MDQ18N50GTH可用于构建高效能的AC-DC和DC-DC转换电路。其低导通电阻和快速开关特性有助于减少能量损耗，提高转换效率。此外，该器件还可用于电机控制系统，如电动工具、工业电机和风扇驱动器，提供稳定的功率输出。
　　在新能源领域，MDQ18N50GTH可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中。其高可靠性和宽工作温度范围使其在户外和恶劣环境中表现出色。同时，该MOSFET也适用于UPS（不间断电源）系统、电池管理系统和充电器设计，提供高效的能量管理解决方案。

IXFH18N50P、IRF840、STF18N50、FDP18N50