时间：2025/9/14 15:56:58
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BUK765R3-40E,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供优异的导通和开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的功率管理应用。这款MOSFET是一款N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，能够在高温环境下稳定工作。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
功耗（Ptot）：190W
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK765R3-40E,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高能效。该器件的1.8mΩ典型Rds(on)使其非常适合用于高电流应用，如电源管理和电机控制。此外，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，这不仅提高了器件的导通性能，还增强了其在高频开关应用中的表现。
该器件的最大漏极电流为150A，具有极高的电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。同时，其额定电压为40V，适用于多种中压功率应用。封装形式为TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装不仅提供了良好的热管理和散热性能，还简化了PCB布局设计。
另一个重要特性是其出色的热稳定性。BUK765R3-40E,118 可在高达175°C的温度下工作，确保在高温环境下依然保持稳定的性能。这对于工业控制、汽车电子和电源转换系统等高温应用场景至关重要。此外，该器件还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统的整体效率。
该MOSFET还具有较高的耐用性和可靠性，能够承受一定的过载和短路情况，适用于对稳定性和安全性要求较高的应用场景。其20V的栅源电压容限也使其兼容多种驱动电路，增加了设计的灵活性。
BUK765R3-40E,118 广泛应用于多个领域，尤其是在需要高效能功率开关的场合。例如，在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路中，该器件可以有效降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，它还适用于电池管理系统、电动工具、电机驱动器和电源分配系统等高电流应用。
在汽车电子领域，BUK765R3-40E,118 可用于车载充电器、电池管理系统和电动车辆的电机控制器。其高电流能力和优异的热稳定性使其能够在严苛的汽车环境中可靠运行。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、服务器电源和UPS不间断电源系统等对可靠性要求较高的应用场景。
IRF1405, STD150N4F7AG, SiR178DP
