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DTC014EUBTL 发布时间 时间:2025/12/25 10:29:12 查看 阅读:21

DTC014EUBTL是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装型晶体管阵列,属于其DTC系列的一部分。该器件集成了多个双极结型晶体管(BJT),通常配置为带有内置偏置电阻的数字晶体管。这种设计简化了电路布局并减少了外围元件的数量,特别适用于需要紧凑和高效解决方案的应用场景。DTC014EUBTL的具体结构通常包括两个NPN或PNP晶体管,每个晶体管都配有串联的基极电阻和下拉/上拉电阻,以实现稳定的开关操作。这些内置电阻不仅有助于限制驱动电流,还能防止由于噪声引起的误触发,从而提高系统的可靠性。
  DTC014EUBTL采用小型封装形式,例如SOT-23或类似尺寸的三引脚封装,非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。它广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制等领域,尤其适合用作逻辑电平转换器、LED驱动器、继电器驱动器或者信号放大器等。由于其高度集成的设计,工程师可以更轻松地实现复杂功能而无需额外添加大量分立元件,这大大缩短了产品开发周期并降低了整体成本。
  此外,DTC014EUBTL具有良好的电气性能,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行。它的最大额定电压和电流规格使其能够胜任大多数低压直流应用需求。同时,该器件还具备较高的开关速度,确保快速响应输入信号变化,这对于实时控制系统至关重要。为了进一步优化功耗表现,DTC014EUBTL采用了低导通电阻设计,使得在导通状态下能量损耗降到最低。总之,这款晶体管阵列凭借其紧凑的外形、可靠的性能以及灵活的应用能力,在现代电子设计中占据着重要地位。

参数

型号:DTC014EUBTL
  制造商:ROHM
  器件类型:带偏置电阻的晶体管阵列
  晶体管类型:NPN
  通道数:1
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  集电极电流(Ic):100mA
  功率耗散(Pd):200mW
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装/外壳:S-Mini3-B

特性

DTC014EUBTL作为一款高性能的带偏置电阻晶体管,具备多项显著的技术优势。首先,其内部集成的电阻网络极大地简化了外部电路设计。传统的分立晶体管需要额外连接基极限流电阻和下拉电阻,而DTC014EUBTL将这些元件直接内置于芯片中,不仅节省了PCB空间,还降低了因焊接不良或元件失效带来的风险。这种集成化设计特别适用于高密度组装环境,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理与信号切换应用。
  其次,该器件表现出优异的电气稳定性。内置的偏置电阻经过精确匹配,确保了恒定的增益特性和一致的开关行为。无论是在高温还是低温条件下,DTC014EUBTL都能维持可靠的性能输出,避免了因温度漂移导致的功能异常。此外,其高达50V的集电极-发射极击穿电压允许其在多种供电环境中安全运行,无论是用于3.3V逻辑系统还是更高电压的接口电路均能胜任。
  再者,DTC014EUBTL拥有出色的开关特性。其快速的开启和关断时间使其适用于高频脉冲宽度调制(PWM)控制场合,例如LED亮度调节或电机速度控制。配合低输入驱动电流要求,它可以轻松由微控制器或其他低功率逻辑门直接驱动,无需额外的缓冲级。这一特点不仅提高了系统效率,也减少了整体功耗。
  最后,该器件符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,体现了对可持续发展的承诺。其坚固的S-Mini3-B封装提供了良好的热传导性能和机械强度,能够在恶劣环境下长期稳定工作。综合来看,DTC014EUBTL以其高集成度、可靠性和易用性成为众多电子设计的理想选择。

应用

DTC014EUBTL广泛应用于各类中小功率电子系统中。常见用途包括微处理器外设驱动、LCD背光控制、音频信号切换、传感器信号调理以及各种类型的继电器或螺线管驱动电路。由于其小巧的封装和高效的性能,它特别适合于便携式医疗设备、智能家居控制器、无线通信模块以及工业自动化装置中。此外,在汽车电子领域,该器件可用于车身控制单元内的灯光管理或按钮输入检测等功能模块。

替代型号

DTC014EU

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DTC014EUBTL参数

  • 现有数量1,465现货
  • 价格1 : ¥2.38000剪切带(CT)3,000 : ¥0.42641卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 频率 - 跃迁250 MHz
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-85
  • 供应商器件封装UMT3F