时间：2025/12/27 9:14:51
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DTB113Z是一种表面贴装的双极结型晶体管（BJT），通常用于通用开关和放大应用。该器件采用SOT-23小型封装，适合在空间受限的印刷电路板设计中使用。DTB113Z属于NPN型晶体管，具有较高的直流电流增益和快速的开关响应时间，适用于低电压、低电流环境下的信号控制与处理。该晶体管由ROHM Semiconductor生产，是其数字化晶体管系列中的一员。数字化晶体管内部集成了一个或多个外接电阻，通常连接在基极和发射极之间，这有助于简化外部电路设计、减少元件数量并提高整体可靠性。DTB113Z内置的电阻使其可以直接由逻辑信号驱动，无需额外的偏置电阻网络，因此广泛应用于便携式设备、消费类电子产品以及工业控制电路中。由于其优异的热稳定性和良好的噪声抑制能力，DTB113Z在各类模拟与数字混合信号系统中表现出色。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适合无铅焊接工艺。DTB113Z的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C的环境中可靠运行，确保了其在各种恶劣条件下的稳定性与耐久性。
类型：NPN
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极-基极电压（VCBO）：70V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
集电极电流（IC）：100mA
功耗（Pc）：200mW
直流电流增益（hFE）：82～270
过渡频率（fT）：250MHz
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
DTB113Z作为一款集成电阻的NPN型晶体管，具备多项突出的技术特性，使其在现代电子电路设计中广受欢迎。其最大亮点在于内部集成了一个连接于基极与发射极之间的下拉电阻，典型阻值为47kΩ，这一设计有效防止了因输入信号悬空而导致的误触发问题，提升了系统的抗干扰能力和工作稳定性。同时，该器件的基极还串联了一个约47kΩ的限流电阻，使得它能够直接与3.3V或5V逻辑电平接口相连，无需外加偏置电阻，从而显著简化了PCB布局并降低了整体成本。这种“数字化”结构不仅减少了外围元件数量，还提高了组装效率和产品一致性。
DTB113Z具有优良的开关性能，其上升时间和下降时间均处于纳秒级别，适合高频开关操作。在典型的开关应用中，它可以实现快速导通与关断，降低开关损耗，提升系统能效。此外，其直流电流增益（hFE）范围为82至270，在小信号放大电路中表现出良好的线性度和增益稳定性。该晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，通常在IC = 10mA时仅为0.1V左右，这意味着在导通状态下功耗较小，有利于电池供电设备延长续航时间。
从制造工艺来看，DTB113Z采用先进的硅外延平面技术，结合高可靠性的塑料封装（SOT-23），具有良好的热传导性能和机械强度。其小巧的封装形式便于自动化贴片生产，适用于回流焊工艺，并能在高温环境下长期稳定工作。该器件通过了严格的AEC-Q101车规级认证，表明其在汽车电子应用中也具备足够的可靠性。总之，DTB113Z凭借其集成化设计、稳定的电气性能和广泛的适用性，成为现代电子系统中理想的开关与驱动元件。
DTB113Z广泛应用于各类需要小功率开关控制的电子设备中。常见用途包括LED驱动电路，其中它被用来控制LED的开启与关闭，尤其适用于背光调节、状态指示灯等场景；在微控制器输出扩展电路中，由于MCU的I/O口驱动能力有限，DTB113Z可作为缓冲器来驱动继电器、蜂鸣器或其他负载；此外，它也常用于电源管理电路中的电平转换与逻辑控制模块，实现不同电压域之间的信号隔离与传递。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和智能家居设备中，DTB113Z因其小型化和低功耗特性而备受青睐。其集成电阻的设计减少了PCB面积占用，有助于实现设备轻薄化。在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号调理电路、光电耦合器驱动以及PLC输入输出模块中，提供可靠的信号放大与隔离功能。此外，在汽车电子系统中，DTB113Z可用于车身控制模块（BCM）、车内照明控制、风扇电机驱动等非动力总成相关应用，得益于其宽温特性和车规级认证，能够在复杂电磁环境和温度波动下保持稳定运行。
由于其良好的高频响应能力，DTB113Z也可用于射频前端的小信号放大电路或调制解调单元中，尽管主要定位仍是数字开关而非高性能模拟放大。总体而言，该器件适用于任何要求高可靠性、小尺寸和易用性的低压、低电流控制场合，是工程师在进行电路设计时常用的标准化组件之一。
MMBT113Z, KSH113Z, DTC114Z, FMMT113Z
