时间：2025/7/10 4:23:22
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DTA125TUAT106是一款高性能的MOSFET功率晶体管，专为需要高效率和低损耗的应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供卓越的电气性能，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。此外，该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，使其在高频应用中表现尤为出色。
DTA125TUAT106属于N沟道增强型MOSFET，通过栅极电压控制源极和漏极之间的电流流动。它非常适合于要求高效能和高可靠性的电力电子系统。
型号：DTA125TUAT106
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：125V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：6mΩ(典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：240W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频工作环境，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具有良好的鲁棒性。
4. 采用TO-247标准封装，散热性能优异，便于安装和集成。
5. 良好的热稳定性，即使在极端温度范围内也能保持性能。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
7. 高击穿电压，增强了器件的耐压能力，适用于多种高压场景。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 照明系统中的调光控制及恒流驱动。
5. 工业设备中的负载切换与保护。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
7. 各类高频逆变器和转换器的核心功率器件。
IRF840
STP120NF12
IXTP12N120P
