型号：DTA115TUAT106
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　类型：NPN 数字晶体管
　　晶体管结构：NPN
　　极性：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　功耗（Pd）：200 mW
　　直流电流增益（hFE）：82 至 160（测试条件：VCE = 5 V, IC = 5 mA）
　　电阻R1阻值：47 kΩ（基极限流电阻）
　　电阻R2阻值：47 kΩ（基极-发射极下拉电阻）
　　开启时间（ton）：典型值约35 ns
　　关闭时间（toff）：典型值约70 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)

DTA115TUAT106的核心优势在于其内置双电阻结构所带来的高集成度与使用便捷性。首先，集成的47kΩ基极限流电阻R1可有效防止因外部驱动信号过高而导致的基极过流问题，无需额外添加分立电阻即可实现对晶体管的安全驱动，特别适用于微控制器GPIO直接驱动的场景。其次，47kΩ的下拉电阻R2确保在输入悬空或处于高阻态时，基极被可靠拉低至发射极电位，避免了噪声耦合引起的误触发现象，显著提升了系统的抗干扰能力和稳定性。这种设计不仅减少了PCB上的元件数量，还降低了焊接点故障率，提高了整体系统的可靠性。
　　该器件的开关响应速度快，开启时间约为35ns，关闭时间约为70ns，足以满足多数中速开关应用的需求，如LED指示灯控制、继电器驱动、逻辑电平转换和数字信号缓冲等。同时，其直流电流增益（hFE）在标准测试条件下可达82至160，表明其具有较强的电流放大能力，能够在较小的输入电流下驱动相对较大的负载电流，提升能效表现。此外，DTA115TUAT106采用ROHM成熟的硅外延平面工艺制造，具备优异的热稳定性和长期工作可靠性，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定运行，适应严苛的工作环境。
　　SOT-23封装进一步增强了其适用性，该封装符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，便于现代自动化贴片生产线使用。器件的引脚排列清晰，兼容性强，可与其他厂商同类产品进行一定程度的互换。综合来看，DTA115TUAT106凭借其紧凑设计、高性能参数和高可靠性，成为各类嵌入式系统、消费电子和工业控制模块中的理想选择。

DTA115TUAT106广泛应用于需要小型化、高可靠性和简化设计的电子系统中。典型应用场景包括但不限于：微控制器输出口的信号扩展与驱动，例如用于驱动LED数码管、状态指示灯或蜂鸣器等低功率负载，利用其内置电阻特性可省去外部限流和下拉电阻，节省PCB空间并降低成本；在电源管理电路中作为使能开关控制LDO或DC-DC转换器的启停；在通信接口电路中实现电平转换功能，适配不同逻辑电压系统之间的信号传递，如将3.3V MCU信号转换为5V系统可识别的电平。
　　此外，该器件也常用于传感器模块的信号调理部分，作为开关元件控制传感器供电以实现节能待机模式；在家电控制板、智能仪表、网络设备和汽车电子外围电路中也有广泛应用。由于其具备良好的温度特性和抗干扰能力，适用于工业自动化控制系统中的数字I/O扩展单元或继电器驱动电路。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，DTA115TUAT106可用于背光控制、按键扫描检测等功能模块，充分发挥其小尺寸和低功耗的优势。总之，凡是需要一个简单、可靠、集成度高的NPN开关解决方案的地方，都是DTA115TUAT106的理想应用领域。

MMBT3904DXV6T1
　　KSH94F1T5G
　　DTC114EKA T146