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DSTB2045C 发布时间 时间:2025/12/26 23:27:02 查看 阅读:9

DSTB2045C是一款由Diodes Incorporated生产的双通道、单刀双掷(SPDT)模拟开关,广泛应用于便携式消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他需要信号路由切换的设备。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻的特点,能够高效地处理音频、视频及其他模拟信号的切换任务。DSTB2045C内部集成了两个独立的SPDT开关,允许用户在两个输入源之间进行选择,并将选定的信号路由到公共输出端,适用于耳机检测与音频路径切换等典型应用场景。该芯片支持宽电压工作范围,通常在1.65V至4.3V之间正常工作,使其兼容多种低压系统设计。此外,DSTB2045C还具备良好的信号完整性表现,确保在高频信号传输过程中保持较低的失真和串扰。封装形式为小型化的WLCSP或XDFN等,适合对空间要求严格的便携式设备布局。

参数

型号:DSTB2045C
  制造商:Diodes Incorporated
  通道数量:2
  开关类型:SPDT(单刀双掷)
  供电电压范围:1.65V 至 4.3V
  逻辑电平兼容性:1.8V CMOS 兼容
  导通电阻(RON):典型值 0.45Ω(VCC = 3.3V)
  导通电阻平坦度:±0.15Ω
  带宽:-3dB 带宽 > 200MHz
  关断泄漏电流:最大 1nA(@ 25°C)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WLCSP-12 或 XDFN-12

特性

DSTB2045C的核心特性之一是其极低的导通电阻,典型值仅为0.45Ω,这显著降低了信号通过开关时的功率损耗和电压降,从而保证了音频和模拟信号的高质量传输。低RON还意味着在进行耳机插拔检测或音频通道切换时,不会引入明显的信号衰减或失真,提升了用户体验。
  该器件采用CMOS工艺实现低静态电流消耗,在待机模式下电流可低至1μA以下,非常适合电池供电的移动设备应用。其控制逻辑接口完全兼容1.8V CMOS电平,可以直接连接到现代低电压微控制器或基带处理器而无需额外的电平转换电路,简化了系统设计并减少了外围元件数量。
  DSTB2045C具备出色的信号隔离性能,在关闭状态下提供高达-70dB的通道间隔离度(在1MHz频率下),有效防止未选通通道的信号干扰主通道,确保多路信号之间的清晰分离。同时,其宽带宽超过200MHz,使其不仅适用于音频信号(通常小于20kHz),还可用于高速数据线路或视频信号的切换应用。
  集成的双SPDT结构允许灵活配置信号路径,例如在一个典型应用中,可用于自动检测耳机插入并通过GPIO信号切换音频输出路径从扬声器到耳机。内部静电放电(ESD)保护机制可承受高达±2kV HBM的瞬态电压冲击,增强了器件在实际使用环境中的可靠性。此外,小型化封装(如WLCSP-12)极大节省PCB面积,满足紧凑型消费电子产品的设计需求。

应用

DSTB2045C常用于需要动态切换模拟信号路径的便携式电子设备中。一个典型的应用场景是在智能手机中实现耳机检测与音频路由控制:当用户插入3.5mm耳机时,系统通过ADC或专用引脚检测到插拔事件,随后通过I2C或GPIO控制DSTB2045C将左/右声道音频信号从扬声器路径切换至耳机输出路径,同时可以断开扬声器驱动以节省功耗。
  此外,该芯片也可用于平板电脑、便携式媒体播放器、笔记本电脑等设备中的麦克风输入选择器,允许系统在内置麦克风和外接麦克风之间进行切换。由于其宽带宽特性,DSTB2045C还可应用于LCD背光亮度调节电路中的PWM信号选择,或者作为USB OTG设备中的VBUS路径控制开关的一部分。
  在工业和医疗便携设备中,DSTB2045C可用于传感器信号多路复用,例如在多个探头之间切换模拟输出信号。其低泄漏电流和高隔离度也使其适用于精密测量系统中,避免未激活通道对主测量通路造成影响。整体而言,该器件凭借其高性能和小尺寸,成为现代多功能终端设备中不可或缺的模拟开关解决方案。

替代型号

TS3USB221A|PI3BST3245|SGM3245

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DSTB2045C参数

  • 现有数量1,564现货
  • 价格1 : ¥19.95000剪切带(CT)800 : ¥11.84118卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)45 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)580 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏2 mA @ 45 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)