BZW06376B 时间：2025/8/23 0:00:43 阅读：3

BZW06376B 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的射频功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高功率射频放大应用设计，适用于无线基础设施、广播系统、工业加热以及射频能量应用。该晶体管具备高效率、高增益和良好的热稳定性能，适合在高频率和高功率环境下工作。

参数

类型：射频功率MOSFET
　　材料：硅（Si）
　　封装形式：TO-247
　　最大漏极电流（ID(max)）：18 A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：65 V
　　最大栅源电压（VGS(max)）：±20 V
　　工作频率范围：DC至500 MHz
　　输出功率（Pout）：约125 W（在225 MHz时）
　　增益：约16 dB（典型值）
　　漏极效率：约65%以上
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.45°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

BZW06376B 的主要特性之一是其高功率处理能力，可在高达500 MHz的频率范围内稳定工作，适用于多种射频放大器应用。其高增益设计有助于减少前级驱动需求，从而提高系统整体效率。
　　此外，该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能，能够有效降低热阻，提高器件在高功率下的可靠性。该晶体管的栅极结构设计可承受较高的栅源电压，提高了其在复杂工作环境下的稳定性。
　　在效率方面，BZW06376B 的漏极效率超过65%，这意味着在高功率输出时，功耗相对较低，减少了热量产生，有利于延长系统寿命。
　　该器件还具有良好的线性性能，适合用于要求较高信号保真度的通信系统，如基站和广播设备。其宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境条件下的应用。