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DSS4160T-7 发布时间 时间:2025/7/10 4:32:05 查看 阅读:16

DSS4160T-7是一款由Diodes公司生产的高压功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关性能等特点,适用于各种电源管理及电机驱动应用。其内部结构设计优化了散热性能,从而提高了整体效率与可靠性。
  该器件属于N沟道增强型MOSFET,工作电压高达600V,适合在高电压环境下运行,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器以及家电控制电路等。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:1.3A
  导通电阻:2.9Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压:2V~4V
  总功耗:1.3W
  工作结温范围:-55℃~+150℃

特性

DSS4160T-7具备以下显著特性:
  1. 高击穿电压(600V),确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 低导通电阻(2.9Ω),降低功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 小尺寸TO-252封装,节省PCB空间。
  5. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,适应严苛的工作条件。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的初级侧开关。
  2. DC-DC转换器的同步整流或降压升压电路。
  3. LED驱动器中的功率开关元件。
  4. 家用电器中的电机驱动与控制。
  5. 各种工业设备中的电源管理模块。
  6. 保护电路如过流保护和负载开关等。

替代型号

DSS4161T-7
  DSS4162T-7

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DSS4160T-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列*
  • 其它名称DSS4160T-7DITR