型号：CEF02N65D
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：2A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（@VGS=10V, ID=1A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：550pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150pF（@VDS=25V）
　　反向传输电容（Crss）：25pF（@VDS=25V）
　　栅极电荷（Qg）：15nC（@VGS=10V, ID=2A）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

CEF02N65D采用先进的沟槽栅极技术和电荷平衡结构设计，实现了在650V高耐压等级下的低导通电阻表现，典型RDS(on)仅为2.2Ω，在同级别国产MOSFET中具备较强的竞争力。这一特性有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。此外，较低的栅极电荷（Qg=15nC）使得该器件在高频开关应用中表现出更优的动态性能，减少了驱动电路的能量消耗，有助于提升开关电源的工作频率并减小磁性元件体积。
　　该器件具备优异的开关特性，包括快速的开启与关断速度，配合较小的寄生电容（Ciss、Coss、Crss），可显著降低开关过程中的交叠损耗，从而减少发热，提高系统可靠性。其体二极管经过优化设计，具有较短的反向恢复时间（trr≈35ns），可在硬开关拓扑中抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统鲁棒性。这对于LLC谐振变换器、有源钳位反激等对二极管性能敏感的电路尤为重要。
　　在可靠性方面，CEF02N65D通过了严格的高温高压测试，具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏。其最大结温可达150°C，结合TO-220F封装的良好热传导性能，可在较高环境温度下稳定运行。同时，器件内部结构经过优化，降低了热阻（RθJC），进一步增强了散热能力。此外，该产品在生产过程中严格控制杂质和缺陷密度，确保批次一致性与长期使用的稳定性，适用于工业级和消费级多种应用场景。

CEF02N65D广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压隔离和高效能量转换的场合。常见应用包括：AC-DC反激式开关电源，用于适配器、充电器、智能电表和小型家电控制器；DC-DC升压或降压变换器，特别是在光伏汇流箱、电池管理系统和LED恒流驱动电源中发挥关键作用；此外，还可用于电机驱动电路中的低端开关、逆变器桥臂组件以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在LED照明领域，该器件常被用作主控开关管，支持高PF值和低THD的设计需求，满足节能灯、筒灯、路灯等产品的能效标准。由于其具备较高的耐压裕量（650V），即使在电网波动较大的环境中也能保证安全运行。在小型逆变电源和UPS系统中，CEF02N65D可用于推挽或半桥拓扑结构中的功率开关，实现直流到交流的能量转换。
　　得益于其良好的热性能和可靠的封装设计，该器件也适用于密闭空间内长时间工作的嵌入式设备。例如，在智能家居网关、安防摄像头电源模块、路由器电源板等产品中，CEF02N65D能够提供稳定的功率开关功能，同时保持较低温升。对于追求国产化替代的项目而言，该型号是理想的选择之一，已在多个批量生产的终端产品中得到验证和应用。

CFE02N65S
　　SIHF2N65D
　　STP2NA65DF
　　FQP2N65C
　　KFE2N65D