DSS16-0045A 是一款由 STMicroelectronics 生产的射频功率晶体管,主要用于射频功率放大器的设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高效率、高增益和优异的热性能。DSS16-0045A适用于工业、科学和医疗(ISM)频段应用,以及广播和通信设备中的射频功率放大需求。该晶体管能够在160 MHz至450 MHz的频率范围内工作,使其成为VHF和UHF频段应用的理想选择。
工作频率范围:160 MHz 至 450 MHz
输出功率:250 W(典型值)
漏极电压:最大50 V
栅极电压范围:-10 V至+10 V
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
增益:25 dB(典型值)
效率:65%(典型值)
封装类型:TO-247AB
热阻:0.45°C/W(典型值)
DSS16-0045A 是一款高性能的射频功率晶体管,采用了先进的LDMOS技术,使其在高频率范围内提供出色的性能。该器件能够在160 MHz至450 MHz的宽频率范围内工作,适用于多种射频功率放大器设计。其输出功率可达250 W,同时具有25 dB的典型增益和65%的高效率,能够有效提升系统的整体性能。DSS16-0045A具有良好的热管理特性,热阻为0.45°C/W,确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的性能。此外,该器件的漏极电压最大可达50 V,栅极电压范围为-10 V至+10 V,适应不同的电路设计需求。其TO-247AB封装形式便于散热和安装,适用于高可靠性应用场景。DSS16-0045A还具有优异的线性度和稳定性,适合用于需要高保真信号放大的通信和广播设备。
DSS16-0045A 主要应用于射频功率放大器的设计,特别适用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备。该晶体管可在160 MHz至450 MHz的频率范围内工作,因此广泛用于VHF和UHF频段的广播设备、通信系统和测试仪器。DSS16-0045A的高输出功率、高增益和高效率特性使其成为需要高可靠性、高稳定性和高性能的射频功率放大应用的理想选择。例如,在广播发射机中,该器件可以提供强大的信号放大能力,确保信号传输的质量和稳定性。在通信系统中,DSS16-0045A可用于基站和中继器的射频放大模块,提升信号覆盖范围和传输效率。此外,该晶体管还适用于射频加热、等离子体生成和其他工业应用中的功率放大需求。
DSS16-0045A 可以被以下型号替代:DSS16-0045B、DSS16-0050A、RD16HHF1、RD16HHF2、MRF6VP20250H、MRF6VP20250N。