您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AUIRFR1018ETRR

AUIRFR1018ETRR 发布时间 时间:2025/7/8 10:38:55 查看 阅读:8

AUIRFR1018ETRR 是一款来自 Vishay 的 N 沟道功率 MOSFET,专为汽车级应用设计。该器件采用 TO-263 (DPAK) 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力的特性,适用于各种开关和负载管理场景。其坚固的设计使其能够在恶劣的工作环境中保持高性能。
  这款 MOSFET 在开关电源、电机驱动、负载切换等应用中表现优异,同时符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车环境中的可靠性和稳定性。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:19nC
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  功耗:331W

特性

AUIRFR1018ETRR 提供了卓越的电气性能,特别是在低导通电阻方面表现突出,从而减少了传导损耗并提高了效率。此外,它具备快速开关能力和较低的栅极电荷,使得动态损耗降低。
  器件的高雪崩能量能力和坚固性设计使其适合在极端条件下运行。其汽车级认证保证了在高温和振动环境下的长期可靠性。
  另外,由于采用了无铅封装和符合 RoHS 标准的材料,该产品也满足环保要求。

应用

AUIRFR1018ETRR 广泛应用于汽车电子领域,包括但不限于以下应用:
  - 开关电源 (SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电机控制和驱动
  - 负载切换和保护
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 发动机控制单元 (ECU) 中的功率开关
  凭借其出色的性能,此 MOSFET 也可用于工业设备中的功率转换和控制电路。

替代型号

IRFR1018TRPBF
  AUIRF1018
  IXFN10N55T
  FDP18N55

AUIRFR1018ETRR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AUIRFR1018ETRR参数

  • 制造商International Rectifier
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压20 V
  • 漏极连续电流79 A
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 栅极电荷 Qg46 nC
  • 功率耗散110 W
  • 工厂包装数量3000