DSI17-02A 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。DSI17-02A 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够在高电流负载下稳定工作。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):17A
导通电阻(Rds(on)):4.2mΩ @ Vgs = 10V
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PowerPAK SO-8
DSI17-02A MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特点。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,从而提高了电源转换效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式工艺技术,使得其在高电流工作条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性。
此外,DSI17-02A 的 PowerPAK SO-8 封装提供了出色的散热性能,有助于在高功率密度设计中实现更小的 PCB 面积。其 ±12V 的栅源电压能力使得该器件能够兼容多种驱动电路,包括常见的 MOSFET 驱动器 IC。
在热管理方面,DSI17-02A 的最大工作温度可达到 +175°C,确保其在高温环境下仍能可靠运行。同时,该器件具备较高的雪崩能量承受能力,可在瞬态过载条件下提供额外的安全保障。
DSI17-02A 的设计还考虑了电磁干扰(EMI)的优化,通过降低开关过程中的 dv/dt 和 di/dt 效应,有助于减少高频噪声的产生。这一特性使其特别适用于对电磁兼容性要求较高的工业和汽车电子应用。
DSI17-02A 广泛应用于各类高性能电源管理系统中。例如,在 DC-DC 转换器中,它可用作主开关元件,以实现高效率的电压转换;在同步整流器中,该器件可显著降低导通损耗,提高整体效率。
此外,DSI17-02A 还适用于负载开关电路,如电池管理系统(BMS)、热插拔电源控制和 LED 照明驱动器等。在这些应用中,其低导通电阻和高电流能力可确保系统在高负载条件下稳定运行。
由于其优异的热性能和可靠性,DSI17-02A 也常用于马达驱动、电源分配系统和工业自动化设备中。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块等应用,满足汽车级工作温度和可靠性要求。
在便携式电子设备中,DSI17-02A 可用于高效能电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源开关和负载调节电路。
SiSS170N10NQ, BSC017N04LS, AO4406