时间：2025/9/1 21:37:44
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H9TKNNNBPDMRAR是一款由SK海力士（SK Hynix）制造的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高端计算、服务器和网络设备等对内存容量和速度有高要求的应用场景。该型号属于高带宽内存（HBM, High Bandwidth Memory）类别，采用3D堆叠封装技术，以实现更高的存储密度和更快的数据传输速率。
类型：DRAM（动态随机存取存储器）
接口：HBM2（High Bandwidth Memory 2）
容量：通常为8GB（具体取决于配置）
工作电压：1.2V
数据速率：最高可达307GB/s（带宽）
封装类型：3D堆叠，BGA封装
引脚数：1024个信号引脚
制造工艺：先进制程工艺
温度范围：工业级温度范围（-40°C至+85°C）
H9TKNNNBPDMRAR具备多项先进的技术特性，以满足高性能计算和数据中心应用的需求。首先，它采用HBM2标准，支持更高的带宽和更低的功耗。其3D堆叠封装技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片层，显著提高了存储密度，同时减少了芯片的物理占用空间，非常适合高密度内存需求的设备。此外，该芯片支持高数据传输速率，能够提供高达307GB/s的带宽，使得其在图形处理、人工智能计算和高性能计算（HPC）应用中表现优异。H9TKNNNBPDMRAR还具备良好的热管理和稳定性，适用于长时间运行的服务器和网络设备。在电气特性方面，该芯片采用1.2V的低电压供电，有助于降低整体功耗，提升能效比。
H9TKNNNBPDMRAR主要用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器、数据中心服务器以及高端网络设备。由于其高带宽和低功耗的特点，该芯片特别适合需要大量数据处理能力的场景，例如深度学习训练、科学计算、实时数据分析和高性能图形渲染等。
H5AN8GCB0BMR16A（美光）、K3PEF10EAM-4X90（三星）
