H9TKNNNBPDMRAR是一款由SK海力士(SK Hynix)制造的高密度、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于高端计算、服务器和网络设备等对内存容量和速度有高要求的应用场景。该型号属于高带宽内存(HBM, High Bandwidth Memory)类别,采用3D堆叠封装技术,以实现更高的存储密度和更快的数据传输速率。
类型:DRAM(动态随机存取存储器)
接口:HBM2(High Bandwidth Memory 2)
容量:通常为8GB(具体取决于配置)
工作电压:1.2V
数据速率:最高可达307GB/s(带宽)
封装类型:3D堆叠,BGA封装
引脚数:1024个信号引脚
制造工艺:先进制程工艺
温度范围:工业级温度范围(-40°C至+85°C)
H9TKNNNBPDMRAR具备多项先进的技术特性,以满足高性能计算和数据中心应用的需求。首先,它采用HBM2标准,支持更高的带宽和更低的功耗。其3D堆叠封装技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片层,显著提高了存储密度,同时减少了芯片的物理占用空间,非常适合高密度内存需求的设备。此外,该芯片支持高数据传输速率,能够提供高达307GB/s的带宽,使得其在图形处理、人工智能计算和高性能计算(HPC)应用中表现优异。H9TKNNNBPDMRAR还具备良好的热管理和稳定性,适用于长时间运行的服务器和网络设备。在电气特性方面,该芯片采用1.2V的低电压供电,有助于降低整体功耗,提升能效比。
H9TKNNNBPDMRAR主要用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能加速器、数据中心服务器以及高端网络设备。由于其高带宽和低功耗的特点,该芯片特别适合需要大量数据处理能力的场景,例如深度学习训练、科学计算、实时数据分析和高性能图形渲染等。
H5AN8GCB0BMR16A(美光)、K3PEF10EAM-4X90(三星)