CXK5864BM-70LL是一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由国产厂商设计制造。该芯片采用高性能的CMOS技术,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据存取的应用场景。CXK5864BM-70LL的存储容量为8K x 8位,也就是总共64K位的存储空间,以8位并行数据方式进行读写操作。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:64Kbit(8K x 8)
电源电压:3.3V或5V(视具体型号而定)
最大访问时间:70ns
封装类型:28引脚SSOP或DIP封装
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
接口类型:并行接口
数据保持电压:通常为2V或以上
待机电流:极低功耗模式下的电流值
CXK5864BM-70LL SRAM芯片具备多项优良特性,包括高速存取能力、低功耗运行和高可靠性。其70ns的访问时间使其能够满足高速数据处理需求,适用于实时系统和嵌入式设备。芯片采用CMOS工艺,显著降低了静态功耗,即使在高频率工作时也能维持较低的能耗。此外,CXK5864BM-70LL具有强大的抗干扰能力,在复杂的电磁环境中仍能保持稳定的数据读写性能。其数据保持电压设计使其在电压波动时仍能保证数据完整性,确保关键信息不会丢失。
该芯片的封装设计紧凑,采用28引脚SSOP或DIP封装形式,便于在各类PCB板上布局和焊接。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使得该芯片能够适应各种恶劣工作环境,如工业控制系统、自动化设备、车载电子系统等应用场景。
CXK5864BM-70LL SRAM芯片广泛应用于需要快速数据存储和访问的电子系统中。常见用途包括嵌入式系统的高速缓存、数据缓冲器、实时控制系统中的临时数据存储等。其在工业自动化控制设备中可用于存储关键的运行参数和临时数据,同时也能作为高速通信设备中的缓存单元,提高数据处理效率。由于其低功耗和高可靠性,该芯片也被广泛用于手持设备、医疗电子设备和测试测量仪器等对功耗和稳定性有较高要求的场合。
CY62148BLL-70BME3、IS62C256AL-70LL