型号：DSEC16-12AS
　　类型：双串联肖特基势垒二极管
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压 VRRM：1200V
　　最大直流阻断电压 VR：1200V
　　最大RMS电压 VRMS：848V
　　最大直流阻断电压（每个二极管）：1200V
　　最大平均整流电流 IF(AV)：1.5A（单个二极管）
　　峰值非重复浪涌电流 IFSM：50A（8.3ms 半正弦波）
　　最大正向压降 VF：1.45V（在1.5A, TJ=25°C条件下）
　　最大反向漏电流 IR：0.5mA（在1200V, TJ=25°C）；10mA（在1200V, TJ=125°C）
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　热阻 Junction-to-Ambient RθJA：70°C/W
　　热阻 Junction-to-Lead RθJL：25°C/W

DSEC16-12AS的核心特性之一是其双串联肖特基结构设计，这种配置允许器件在高电压应用中直接用于串联连接，而无需额外的均压电阻，从而简化了电路设计并提高了系统的可靠性。该器件的1200V高阻断电压使其能够在高压DC-DC转换器和工业电源系统中稳定运行，尤其适用于太阳能逆变器、UPS系统以及电信电源设备等场景。其1.5A的平均整流电流能力在同类SMA封装产品中处于较高水平，支持中等功率级别的能量转换需求。
　　另一个显著特点是其优异的热性能表现。得益于SMA封装良好的散热设计以及较低的热阻（RθJA为70°C/W），DSEC16-12AS可以在自然对流条件下有效散发工作过程中产生的热量，减少对外部散热片的依赖，进而降低整体系统成本和复杂度。同时，该器件在高温环境下仍能保持较低的反向漏电流，在TJ=125°C时最大IR为10mA，这表明其在恶劣工况下依然具备良好的关断能力，防止不必要的功耗和热失控风险。
　　该二极管的正向压降在额定电流1.5A下仅为1.45V左右，相较于传统快恢复二极管或普通PIN二极管，这一数值显著降低了导通损耗，提升了电源系统的整体转换效率。此外，50A的峰值浪涌电流能力使器件能够承受开机瞬间或负载突变时的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。DSEC16-12AS还具备快速反向恢复特性，尽管肖特基二极管通常不存在少子存储效应，但由于其结构特殊性，在高频开关环境中仍表现出极短的反向恢复时间，进一步减少了开关损耗。
　　从制造工艺来看，DSEC16-12AS采用先进的平面扩散技术和银浆烧结工艺，确保了芯片与引线框架之间的牢固连接，提升了机械强度和长期可靠性。器件通过AEC-Q101认证的可能性虽未明确标注，但其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）表明其适用于严苛的工业与汽车级应用环境。此外，产品符合JEDEC MS-013标准的潮湿敏感等级1（MSL1），意味着它可以在车间环境中长时间暴露而不吸湿，便于SMT贴片生产流程的操作。

DSEC16-12AS主要应用于需要高电压、中等电流整流功能的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是在离线式反激、正激和桥式拓扑结构中作为输出整流二极管使用。由于其双串联结构，该器件非常适合用于高电压输出的DC-DC转换器中，例如在48V通信电源系统或工业控制模块中实现高效能的电压变换。此外，在太阳能光伏逆变器系统中，DSEC16-12AS可用于直流侧的防反接保护或旁路功能，以防止电池板阴影遮挡导致的热斑效应。
　　在不间断电源（UPS）系统中，该二极管常被用作续流或隔离元件，确保在主电源中断时储能单元能够顺利切换供电路径。其高耐压能力和良好的动态响应特性也使其适用于电机驱动器中的箝位电路，吸收感性负载关断时产生的反向电动势，保护开关器件如MOSFET或IGBT不受损坏。另外，在LED驱动电源领域，尤其是高压恒流源设计中，DSEC16-12AS可作为次级侧整流元件，提供稳定的直流输出。
　　由于其表面贴装封装形式，DSEC16-12AS特别适合自动化贴片生产线，广泛用于通信设备、工业仪表、消费类电子适配器以及车载充电系统等对体积和可靠性要求较高的场合。在电动汽车充电桩的辅助电源模块中，该器件也能发挥其高效率和高可靠性的优势。此外，其无铅、无卤素的设计符合欧盟RoHS和REACH环保指令，适用于出口型电子产品及绿色能源项目。

MUR1620CT,MUR1620PT,ES1D-12