DSDI35-14A 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个 IGBT 芯片和反并联二极管,适用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统等需要高效率和高可靠性的场景。
最大集电极电流:35A
最大集射极电压:600V
最大栅极电压:±20V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:5μs(典型值)
封装类型:双列直插式封装(DIP)
安装方式:通孔焊接
DSDI35-14A 模块具备多项先进特性,确保其在复杂应用环境中的稳定性和可靠性。首先,其采用的 IGBT 技术结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降优势,实现了高效的功率转换。模块内部集成多个 IGBT 单元,采用并联结构设计,可有效分散电流,提高模块的可靠性和寿命。
其次,DSDI35-14A 配备了快速恢复二极管(FRD),与 IGBT 芯片反并联连接,确保在感性负载切换过程中提供反向电流通道,从而保护 IGBT 免受损坏。该模块的封装设计符合工业标准,具有良好的热管理和绝缘性能,能够适应恶劣的工作环境。
DSDI35-14A 主要应用于工业自动化控制系统、变频器、伺服驱动器、电焊机、UPS 电源、电动汽车充电设备以及可再生能源系统(如太阳能逆变器)等高功率场合。其高耐压能力和大电流承载能力,使其在需要频繁开关和高功率密度的设备中表现出色。
SGW40N60WD、FGA60N603D、FSBB20CH60CT