时间：2025/4/30 14:49:56
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DMN6075S是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小尺寸DFN3x3-8封装形式。该器件主要针对高效率开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它适合用于便携式设备、计算机外设以及通信系统的电源管理领域。
该型号由Diodes公司生产，广泛应用于负载开关、DC-DC转换器、电池保护电路等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：4.1A
导通电阻（典型值）：3.9mΩ
栅极电荷：11nC
反向恢复时间：42ns
工作结温范围：-55℃至150℃
DMN6075S拥有非常低的导通电阻，可以显著减少功率损耗，从而提高系统效率。同时，其快速开关性能能够降低开关损耗，并支持高频操作。
此外，该器件具备优秀的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能一致性。由于采用了DFN3x3-8封装，DMN6075S还具有出色的散热特性和较小的占板面积，非常适合空间受限的设计。
其低寄生电感和优异的ESD防护能力也进一步增强了产品的可靠性和耐用性。
DMN6075S适用于多种电源管理场合，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电池保护电路
- 消费类电子设备的电源管理模块
- 工业控制与通信基础设施中的电源部分
DMN6075L
DMN6076S
Si2302DS
