DSDI35-12A 是一款由东芝(Toshiba)生产的绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于功率半导体器件。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于高电压和高电流的应用场景。DSDI35-12A 采用紧凑型封装设计,具有出色的热性能和可靠性,适用于工业控制、电力电子变换器和电机驱动等领域。
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):35A
最大功耗(PD):140W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
短路耐受能力:5μs(典型值)
栅极阈值电压(VGE(th)):5.5V(典型值)
饱和压降(VCE(sat)):2.1V(典型值,IC=35A)
DSDI35-12A IGBT 具有多个重要特性,适用于高功率应用。
首先,该器件的额定电压为1200V,能够承受较高的集电极-发射极电压,适用于高压系统的设计。这种高耐压能力使其在电力电子变换器、逆变器和电机驱动等应用中表现优异。
其次,最大集电极电流为35A,这意味着 DSDI35-12A 可以处理相对较高的电流,适合中高功率的应用场景。此外,该器件的饱和压降(VCE(sat))为2.1V,在导通状态下能够提供较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
DSDI35-12A 的最大功耗为140W,能够在较高的功率环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C,具备良好的热稳定性,适用于各种工业环境。
该IGBT的栅极阈值电压为5.5V(典型值),确保在驱动电路中能够可靠地控制导通与关断状态。同时,其短路耐受能力为5μs(典型值),在发生短路故障时能够提供一定的保护能力,延长器件的使用寿命。
封装方面,DSDI35-12A采用紧凑型设计,提供良好的散热性能,有助于降低工作温度并提高可靠性。
DSDI35-12A 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统。其中,常见的应用包括工业电机驱动、变频器、UPS(不间断电源)、电焊机和太阳能逆变器等。由于其高耐压和低饱和压降的特性,该IGBT在逆变器和DC-AC转换器中能够有效提高转换效率,同时减少热量的产生。此外,DSDI35-12A 还适用于高频开关应用,能够在较高的工作频率下保持良好的性能和稳定性。在电动汽车和充电桩系统中,该器件也可用于功率转换模块的设计。由于其良好的热稳定性和可靠性,DSDI35-12A 也广泛用于工业自动化控制系统中的功率放大器和电源管理模块。
SGW25N120HD, IRG4PC50UD, FGA25N120ANTD