时间：2025/11/12 22:03:08
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CL21B224KAFNFNE是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于高介电常数的X5R陶瓷材料系列，具有较高的电容密度，适用于多种去耦、滤波和旁路应用。其封装尺寸为0805（公制2012），额定电压为50V DC，标称电容值为0.22μF（220nF），容差为±10%（即K级）。CL21B224KAFNFNE采用标准的表面贴装技术（SMT）设计，适合自动化贴片生产流程，在消费类电子、工业控制、通信设备以及电源管理电路中广泛应用。
该型号中的编码遵循三星MLCC的命名规则：CL代表陶瓷电容器，21表示0805封装尺寸，B表示X5R介质材料，224表示电容值22×10? pF = 0.22μF，K为容差等级，A代表额定电压50V，F表示端接类型为镍障层+锡电极（Ni-Sn），N表示卷带包装，F表示8mm编带，NE则表示无铅且符合RoHS环保要求。由于其稳定的电气性能和良好的温度特性，CL21B224KAFNFNE在需要中等电容值与较高耐压能力的场合表现优异。此外，该产品在制造过程中严格控制缺陷率，具备较高的可靠性和长期稳定性，尤其适合对品质有较高要求的应用场景。
型号：CL21B224KAFNFNE
制造商：Samsung Electro-Mechanics
封装/尺寸：0805 (2012 metric)
电容值：0.22μF (220nF)
容差：±10%
额定电压：50V DC
介质材料：X5R
工作温度范围：-55°C 至 +85°C
温度特性：±15% (X5R)
直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
绝缘电阻：≥4GΩ 或 ≥500Ω·F（取较大值）
耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
端接类型：Ni-Sn（镍障层+锡）
包装形式：卷带（Tape and Reel）
是否无铅：是
符合RoHS：是
CL21B224KAFNFNE采用X5R型高介电常数陶瓷材料，具备良好的电容稳定性和较宽的工作温度范围，能够在-55°C至+85°C之间保持电容变化在±15%以内，这使其适用于大多数非精密但要求稳定运行的电路环境。相比Z5U或Y5V等介质，X5R在温度稳定性方面表现更优，虽然不如C0G/NP0那样完全线性，但在成本与性能之间实现了良好平衡。该电容器的50V额定电压使其能够用于多种中压应用场景，例如开关电源输出滤波、DC-DC转换器输入去耦、微处理器供电引脚旁路等。
在直流偏压特性方面，随着施加电压接近额定值，实际有效电容会有所下降，这是高介电常数陶瓷材料的典型特征。因此，在设计时需参考制造商提供的直流偏压曲线以确保在工作条件下仍能满足系统需求。尽管如此，CL21B224KAFNFNE在常温下施加25V电压时仍能维持约70%-80%的标称电容，表现出相对较好的偏压稳定性。
该器件采用镍障层（Ni-barrier）结构端子，具有优异的抗硫化能力，能够在高湿度、含硫环境中长期稳定工作，避免因电极腐蚀导致的开路失效。同时，锡覆盖层确保了良好的可焊性，兼容回流焊工艺，并满足无铅焊接要求。其0805封装尺寸兼顾了板面占用与机械强度，适合高密度PCB布局的同时也便于手工维修。整体上，该MLCC在可靠性、电气性能和环境适应性方面均达到工业级标准，广泛应用于各类电子产品中。
CL21B224KAFNFNE因其适中的电容值、良好的温度稳定性和较高的额定电压，被广泛应用于各类电子电路中。常见用途包括电源去耦，特别是在微控制器、FPGA、DSP和其他数字IC的电源引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。在DC-DC转换器和LDO稳压器的输入与输出端，该电容器可用于平滑电压波动，提高系统的瞬态响应能力。此外，它也可作为模拟信号路径中的耦合或旁路电容，用于音频处理、传感器接口和数据采集系统中。
在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，CL21B224KAFNFNE可用于本地电源滤波和EMI抑制，提升信号完整性和系统抗干扰能力。工业控制领域中，该器件适用于PLC、人机界面（HMI）、电机驱动器等设备的电源管理单元，保障恶劣环境下长期可靠运行。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备也大量使用此类MLCC进行内部电源调节和噪声抑制。
由于其具备抗硫化特性，该型号特别适合部署在可能存在硫化污染的环境中，例如工业厂区、汽车电子或户外设备。同时，符合RoHS和无铅要求使其满足全球环保法规，适用于出口型产品设计。总体而言，CL21B224KAFNFNE是一款通用性强、可靠性高的多层陶瓷电容器，适用于多种中高压、中等精度的滤波与储能应用场合。
GRM21BR71H223KA01L
CC0805KRX7R9BB224
RC0805FR-07224K
C2012X5R1H224K
