DSAI80-11A 是一款由东芝(Toshiba)生产的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电力电子设备中,如变频器、逆变器和电机驱动系统。该模块结合了高功率处理能力和高可靠性,适合于高电压和高电流的应用环境。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):800 V
额定集电极电流(Ic):80 A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
短路耐受能力:有
热阻(Rth):0.25 K/W
最大功耗:150 W
DSAI80-11A 具备优异的电气性能和热管理能力,采用先进的 IGBT 技术,能够在高电压和大电流条件下保持稳定工作。模块内部集成了续流二极管(FWD),可有效减少外部元件数量,提高系统可靠性。
其低导通压降和快速开关特性使得该模块在高频率工作环境下依然能够保持较低的开关损耗,从而提升整体效率。此外,该模块具备良好的短路保护能力和过热保护特性,适合在恶劣工业环境中使用。
DSAI80-11A 的封装设计优化了散热性能,确保模块在高功率运行时仍能保持较低的温度上升。这种设计不仅延长了模块的使用寿命,还提高了系统整体的稳定性和安全性。
DSAI80-11A 主要应用于需要高效功率转换和控制的工业设备,如交流变频器、伺服驱动器、电焊机、UPS(不间断电源)系统和可再生能源系统(如太阳能逆变器)。其高可靠性和高效率的特性也使其成为电动汽车充电设备和工业电机控制系统的理想选择。
TOSHIBA MG75Q2YS40、INFINEON FF80R12KS4、ON SEMICONDUCTOR NGTB80N120FL2WG