工作频率范围：800 MHz - 960 MHz
　　输出功率：典型值为80 W（在900 MHz时）
　　增益：约20 dB（在900 MHz时）
　　效率：典型值为40%以上
　　封装类型：表面贴装封装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　漏极电压（VDS）：最大28V
　　输入阻抗：50Ω标准匹配

QPD2080D具有多项先进的性能特点，使其成为现代无线通信系统中的理想选择。首先，其LDMOS技术提供了卓越的线性度和效率，这对于满足5G和4G LTE Advanced等现代通信标准的严格要求至关重要。其次，该器件的宽带设计支持800 MHz至960 MHz的宽频率范围，允许其在多个蜂窝频段中使用，减少设计复杂性和成本。
　　此外，QPD2080D采用了高热效率的表面贴装封装，支持高效的散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。该封装还支持自动化装配流程，提高了制造效率。器件的输入端已内部匹配至50Ω，简化了外部电路设计，同时输出端也进行了部分匹配，减少了外围元件数量。
　　QPD2080D具有良好的稳定性和抗失真能力，即使在复杂的调制信号下也能提供一致的性能。其高效率特性可减少基站系统的功耗和散热需求，有助于实现绿色节能的通信基础设施。此外，该器件具备良好的抗过载能力和热保护性能，确保在恶劣环境条件下的稳定运行。

QPD2080D主要用于无线基站设备，如宏基站、微基站和分布式天线系统（DAS），支持多种蜂窝通信标准，包括GSM、W-CDMA、CDMA2000、TD-SCDMA、WiMAX、4G LTE和5G NR等。该器件适用于需要高线性度和高效率的射频功率放大器模块设计，尤其是在多频段和多标准应用中。由于其宽带性能和高可靠性，QPD2080D也适用于工业和商业通信设备，如专用无线网络、测试仪器和广播系统中的射频功率放大应用。

QPD2080D的替代型号包括QPD2085D和QPD2090D，它们在功率输出和频率范围上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。