时间：2025/7/11 20:12:10
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SI2306DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载切换以及电机驱动等应用领域。
其封装形式为 DS (Dual Small) 封装，引脚配置紧凑且易于焊接，适合高密度电路板设计。
最大漏源电压：40V
最大栅极源极电压：±20V
最大连续漏极电流：5.8A
导通电阻（典型值）：18mΩ
栅极电荷（典型值）：7.5nC
开关时间：开态 9ns / 关态 5ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI2306DS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够支持高频应用小的封装尺寸，便于在空间受限的设计中使用。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
5. 提供出色的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持良好性能。
6. 内部二极管反向恢复时间短，可降低开关过程中的能量损失。
SI2306DS 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护和负载切换。
4. 电机控制与驱动电路。
5. 工业自动化设备中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
SI2307DS, SI2314DS, FDP017N04
