时间：2025/4/29 16:56:04
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50N06D是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
50N06D的主要功能是作为开关或放大元件使用，其耐压值为60V，能够承受较大的漏极电流，同时具备快速的开关速度，适用于高频应用场景。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：50A
最大栅源电压：±20V
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：180W
结温范围：-55℃至+175℃
50N06D具有以下显著特性：
1. 高电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. TO-220封装便于散热设计，适合功率密集型应用。
50N06D适用于多种功率电子场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器和逆变器的核心开关元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 充电器和电池管理系统中的功率管理元件。
IRF540N
STP50NF06L
FDP50N06B
