时间：2025/8/8 18:10:44
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MB87M4630 是由 Fujitsu（富士通）生产的一款高性能 16 位静态随机存取存储器（SRAM），专为高速数据存储应用设计。该器件采用先进的 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高速访问时间和高可靠性等特点，广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统和网络设备等领域。
容量：256K x 16 位
访问时间：55 ns / 70 ns / 85 ns（根据型号后缀不同）
电源电压：3.3V
封装形式：54 引脚 TSOP、54 引脚 SOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：TSOP：18.4mm x 20.0mm
接口类型：并行异步接口
数据保持电压：1.5V（低功耗待机模式）
待机电流：最大 10 mA（典型值）
MB87M4630 采用高性能 CMOS 技术，能够在 3.3V 电源电压下提供快速的访问时间，适用于需要高速数据处理的应用场景。其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接，降低了系统设计复杂度。
该器件具备低功耗特性，在待机模式下仅需 10mA 的典型电流，适用于对功耗敏感的应用环境。此外，其宽广的工作温度范围使其适用于工业和通信领域的严苛环境。
MB87M4630 提供多种访问时间选项（55ns、70ns、85ns），满足不同性能需求，同时支持数据保持电压低至 1.5V，便于系统在低功耗状态下维持数据完整性。
该 SRAM 采用 54 引脚的 TSOP 或 SOP 封装，体积小巧，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能和机械稳定性。
MB87M4630 主要应用于需要高速、低功耗、大容量 SRAM 的场景，如嵌入式系统的缓存存储、工业控制设备的数据缓冲、通信设备的协议处理、网络交换设备的高速数据缓存等。此外，该芯片也适用于图像处理、测试设备和测量仪器等对数据访问速度有较高要求的应用领域。
CY7C1041GN30-10ZSXI, IDT71V416SA85B, IS61LV25616AL-85B
