型号：NLCV32T-R10M-EFRD
　　制造商：TDK
　　封装/尺寸：3225（3.2 x 2.5mm）
　　电感值：1.0μH
　　允许偏差：±20%
　　直流电阻(DCR)典型值：0.38Ω
　　额定电流（温升）：250mA
　　自谐振频率(SRF)最小值：100MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　类别：固定电感器
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　层数结构：多层陶瓷
　　材料体系：低温共烧陶瓷(LTCC)

NLCV32T-R10M-EFRD电感器采用低温共烧陶瓷（LTCC）技术制造，通过将多个陶瓷与内部金属导体层交替堆叠并一次性高温烧结成型，实现了高度集成的小型化结构。这种多层结构不仅提升了单位体积内的电感密度，还有效降低了寄生电容与分布参数的影响，从而在高频下仍能维持较高的自谐振频率（SRF），确保器件在GHz以下频段稳定工作。该电感具有优异的Q值特性，在典型测试条件下可达到较高水平，有助于提升射频电路的选频能力和效率，减少能量损耗。其低直流电阻（DCR）设计显著减少了因电流通过而产生的热效应，提高了功率传输效率，特别适用于电池供电的便携式设备中对功耗敏感的应用场景。
　　该器件具备出色的温度稳定性和长期可靠性，在-40°C至+125°C的宽温度范围内电感值变化较小，能够适应严苛的环境条件。同时，其端电极采用多层镀膜结构（如Ni/Sn或Ag/Pd/Cu体系），增强了耐热冲击性与焊接可靠性，支持回流焊工艺，并能有效防止焊料渗透和裂纹产生。NLCV32T-R10M-EFRD还具备良好的抗机械应力能力，即使在PCB弯曲或热胀冷缩情况下也能保持稳定的电气性能。由于其结构致密且无磁芯饱和问题，相较于铁氧体绕线电感，它在大信号环境下表现出更线性的电感响应，避免了非线性失真。此外，该电感器对电磁干扰（EMI）具有较强的抑制能力，常用于电源去耦、射频匹配网络和滤波电路中，帮助满足电磁兼容（EMC）要求。整体而言，该器件结合了高频性能、小型化和高可靠性的优势，是现代高频模拟与射频前端模块的理想选择。

NLCV32T-R10M-EFRD主要用于各类高频电子设备中的射频（RF）电路部分，典型应用场景包括移动通信终端（如智能手机、平板电脑）中的天线匹配网络、射频前端模块（FEM）的滤波与阻抗匹配、无线局域网（WLAN）、蓝牙（Bluetooth）、ZigBee、NFC以及物联网（IoT）设备中的信号调理电路。在这些应用中，该电感器用于构建LC谐振电路、低通或带通滤波器、偏置馈电扼流（RF choke）等关键功能单元，确保射频信号的高效传输与噪声抑制。
　　此外，该器件也广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如为射频放大器或传感器提供干净的直流偏置，同时阻止高频噪声反向传播至电源线路。在高速数字系统中，NLCV32T-R10M-EFRD可用于局部去耦和信号完整性优化，降低开关噪声对敏感模拟电路的影响。由于其良好的高频特性和小型封装，它也非常适合空间受限的高密度PCB布局设计，如可穿戴设备、微型传感器节点和模块化通信模组。在工业控制、汽车电子（非动力系统）和医疗监测设备中，该电感也被用于实现可靠的无线连接和抗干扰信号处理。总的来说，凡是需要在紧凑空间内实现高性能射频或高频滤波功能的场合，NLCV32T-R10M-EFRD都是一种成熟且值得信赖的解决方案。

NLCV32T-R10M-PF