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DS1245Y-85+ 发布时间 时间:2025/4/29 11:50:50 查看 阅读:1

DS1245Y-85+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NV-SRAM),结合了高速 SRAM 和高性能电池备份管理功能。它可以在系统掉电时自动切换到电池供电,从而保护存储的数据不丢失。
  DS1245Y-85+ 提供了一个集成的解决方案,适用于需要高可靠性和数据安全性的应用环境,例如工业控制、医疗设备和计量系统。

参数

容量:16K x 8位(16384 字节)
  工作电压:3.0V 至 5.5V
  接口类型:并行接口
  访问时间:55ns(典型值)
  封装形式:44 引脚 PLCC
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:超过10年(使用锂电池)

特性

DS1245Y-85+ 具有以下主要特性:
  1. 内置电池切换电路,支持系统掉电时无缝切换到备用电池供电。
  2. 集成了定时器和实时时钟功能,可以记录掉电时间和恢复时间。
  3. 数据存储在 SRAM 中,同时通过电池备份实现非易失性存储。
  4. 提供写保护功能以防止意外写入。
  5. 低功耗设计,适合长时间运行的应用场景。
  6. 支持多种信号极性和中断选项,增强了系统的灵活性和可配置性。

应用

DS1245Y-85+ 的典型应用场景包括:
  1. 工业自动化控制系统中的数据日志记录。
  2. 医疗设备中关键数据的实时保存。
  3. 计量仪表中的历史数据存储。
  4. POS 终端和其他金融设备的数据保护。
  5. 嵌入式系统中的临时缓冲区或关键状态保存。
  由于其可靠的性能和长数据保持能力,该芯片非常适合对数据完整性要求较高的领域。

替代型号

DS1245L-85+, DS1245Z-85+

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DS1245Y-85+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装11
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装32-EDIP
  • 包装管件