时间：2025/8/9 17:41:31
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FMV11N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和功率放大器等应用中。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力，适用于高效率、高频工作的电路设计。FMV11N60ES封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：11A
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55℃至150℃
导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（最大）
栅极电荷(Qg)：34nC
输入电容(Ciss)：1200pF
封装形式：TO-220
FMV11N60ES采用先进的平面硅工艺制造，具有良好的导通特性和较高的开关速度。其最大漏极-源极电压为600V，适用于中高功率的开关应用。该MOSFET的导通电阻较低，能够在高电流条件下保持较小的功率损耗，提高整体系统的效率。
此外，FMV11N60ES具备较高的栅极稳定性，栅极-源极电压可达±30V，允许使用较高的驱动电压以确保MOSFET完全导通，降低导通损耗。其栅极电荷为34nC，适合用于中高频开关电路中，减少开关损耗并提高响应速度。
该器件的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于各种电源管理应用。FMV11N60ES还具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够适应较为严苛的工作环境。
FMV11N60ES广泛应用于各类电源设备，如开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机控制电路、逆变器和功率放大器等。此外，该MOSFET也适用于LED驱动电源、电池充电器和工业自动化设备中的功率控制模块。
FQA11N60C、IRFBC40、STF11NM60ND、TK11A60D、2SK2141
