时间：2025/7/11 9:07:42
阅读：5
DS1245AB-200IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 芯片。该芯片结合了高速 SRAM 和非易失性铁电存储器 (FRAM) 的特性，能够在断电时自动将 SRAM 中的数据保存到非易失性存储器中，并在上电时恢复数据。
这款器件非常适合需要频繁写入和快速访问数据的应用场景，例如工业控制、医疗设备、通信系统以及计量设备等。其高可靠性和低功耗性能使其成为许多嵌入式系统的理想选择。
工作电压：3.0V 至 3.6V
存储容量：4Kb（512 x 8）
数据保留时间：超过10年
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-8
访问时间：70ns
数据写入耐久性：无限次
待机电流：小于1μA
DS1245AB-200IND+ 具有以下显著特性：
1. 非易失性：能够确保在断电后数据不丢失，无需额外的电池支持。
2. 快速写入：由于采用 FRAM 技术，数据写入速度极快且无限制写入次数。
3. 自动数据保护：内置电源监控电路，在检测到电源故障时会自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储器中。
4. 小型封装：SOIC-8 封装适合空间受限的设计。
5. 低功耗设计：即使在频繁读写操作下，也能保持较低的功耗水平。
6. 宽工作温度范围：适应各种恶劣环境下的应用需求。
DS1245AB-200IND+ 广泛应用于以下领域：
1. 工业控制：如可编程逻辑控制器 (PLC) 和数据记录仪。
2. 医疗设备：如患者监护仪和便携式诊断设备。
3. 计量设备：如智能电表和水表。
4. 通信系统：如网络路由器和交换机。
5. 消费类电子产品：如数码相机和家用自动化系统。
这些应用场景通常需要高可靠性、快速响应和低功耗的存储解决方案，而 DS1245AB-200IND+ 正好满足这些要求。
DS1245B-200IND+, DS1245AB-100IND+, DS1245B-100IND+
