时间：2025/12/24 18:57:09
阅读：13
DS1225AB150 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该芯片结合了 SRAM 的高速访问特性和非易失性存储技术，能够在断电时通过内部锂电池保持数据不丢失。DS1225AB150 的容量为 8K x 8 位，即 64Kbit，适用于需要高可靠性和断电保护的数据存储应用。
容量：64Kbit (8K x 8)
工作电压：4.75V 至 5.5V
访问时间：150ns
封装形式：28 引脚 DIP
工作温度范围：0°C 至 +70°C
数据保持电流：典型值 2.0μA（在 3.3V 电池供电模式下）
读取电流：最大 100mA（在 5V 电源供电模式下）
写入保护功能：当 VCC 低于切换电压时自动写保护
数据保持方式：通过外部锂电池供电
读写速度：与高速 SRAM 兼容
DS1225AB150 的核心特性之一是其非易失性数据保持能力。在正常工作状态下，芯片由主电源 VCC 供电；当检测到 VCC 电压下降至设定阈值以下时，芯片会自动切换至内部锂电池供电，以保持 SRAM 中的数据不丢失。这种自动电源切换机制无需外部控制电路，简化了系统设计。
该芯片采用静态存储单元，无需刷新操作，数据可以无限次读取和写入。在断电情况下，锂电池可提供持续供电，数据可保持数年不丢失。DS1225AB150 还具备写保护功能，当电源电压低于安全操作阈值时，芯片自动禁止写入操作，防止数据在不稳定电源条件下被破坏。
DS1225AB150 采用工业标准的 28 引脚 DIP 封装，引脚排列与标准 SRAM 芯片兼容，方便替换和集成到现有系统中。该芯片广泛应用于工业控制、医疗设备、数据采集系统、智能仪表等需要高可靠性和断电保护的场合。
由于其高速访问时间（150ns），DS1225AB150 可满足高速缓存和实时数据存储的需求。同时，其低功耗特性使其非常适合电池供电或低功耗系统设计。
DS1225AB150 主要应用于需要在断电情况下保持关键数据的系统中。例如，在工业控制系统中，用于保存设备运行参数和状态信息；在医疗设备中，用于存储患者数据和设备校准信息；在数据采集系统中，用于缓存采集到的数据以防止数据丢失；在智能电表和远程监控设备中，用于保存计费数据和操作记录。
此外，DS1225AB150 还可用于嵌入式系统中的高速缓存存储器，提供非易失性存储能力而不牺牲访问速度。其自动电源切换和写保护机制使其在恶劣环境下仍能保持数据完整性，因此也广泛应用于航空航天、军事和安防领域。
DS1225Y-150, DS1225AD150, DS1225A-150
