时间：2025/12/27 11:20:30
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CB2518T6R8MV是一款由华科半导体有限公司（HuaKe Semiconductor）推出的高性能多层陶瓷电容器（MLCC），主要面向消费类电子、工业控制以及通信设备等广泛应用领域。该器件采用先进的陶瓷材料和叠层工艺制造，具有高可靠性、低等效串联电阻（ESR）和优良的高频特性，适用于去耦、滤波、旁路和储能等多种电路功能。CB2518T6R8MV的尺寸为2518（即6.4mm x 4.8mm），属于较大尺寸的贴片电容，适合需要较高耐压和大容量储能的应用场景。其标称电容值为6.8μF，额定电压为25V，采用X5R温度特性介质材料，保证在-55°C至+85°C的工作温度范围内电容变化率控制在±15%以内，满足大多数工业级应用需求。该型号广泛用于电源管理模块、DC-DC转换器输出滤波、FPGA或ASIC供电去耦等关键位置，能够在瞬态负载变化时提供稳定的能量支持。此外，CB2518T6R8MV符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品制造要求。
型号：CB2518T6R8MV
电容值：6.8μF
额定电压：25V
温度特性：X5R
尺寸代码：2518（EIA）
尺寸（mm）：6.4 x 4.8 x ≤3.0
电容公差：±20%
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
介质材料：BaTiO3基陶瓷
端电极结构：Ni/Sn外电极（三层电极）
耐湿性：符合IEC 60068-2-56标准
寿命测试：在额定电压与+85°C环境下持续施加1000小时后，电容变化≤15%，绝缘电阻≥初始值的70%
CB2518T6R8MV具备优异的直流偏压特性，在25V额定电压下施加16V直流偏置时仍可维持超过70%的标称电容值，显著优于传统X5R材质电容，确保在实际电源线路中保持稳定性能。该器件采用高密度叠层结构设计，内部包含多达数百层陶瓷介质与内电极交替堆叠，每层厚度精确控制在微米级别，从而实现小体积下的大容量存储能力。其内电极采用无铅镍金属材料，经过高温共烧工艺处理，确保良好的导电性和热匹配性，减少因热膨胀系数差异引起的开裂风险。在外电极方面，使用三层电极结构（Cu/Ni/Sn），其中铜层提供良好的附着力和导电性，镍层作为阻挡层防止焊料侵蚀，最外层的锡层则提升可焊性和抗氧化能力，保障回流焊过程中的可靠连接。
该电容器具有极低的等效串联电阻（ESR），典型值低于10mΩ，在高频开关电源环境中能有效抑制电压纹波和噪声，提高系统效率。同时，其等效串联电感（ESL）也控制在较低水平，通常小于1.5nH，有助于扩展有效自谐振频率（SRF），使其在数MHz至数十MHz频段内仍保持良好滤波性能。CB2518T6R8MV还具备出色的抗机械应力能力，通过优化端头结构和封装工艺，降低PCB弯曲或热循环过程中产生的应力对陶瓷体的影响，避免出现微裂纹导致的早期失效。产品出厂前经过严格的电气性能筛选和可靠性验证，包括高压老化测试、温度循环试验、湿度负荷试验等多项检测流程，确保批量一致性与长期稳定性。此外，该型号支持自动贴装工艺，兼容标准SMT生产线，适用于高密度印刷电路板组装需求。
CB2518T6R8MV广泛应用于各类中高压直流电源系统中，尤其适合作为DC-DC降压或升压变换器的输入滤波电容和输出储能电容。在服务器电源、工业电源模块、车载电子电源单元等场合，该电容能够有效平抑开关管通断引起的电流脉动，降低母线电压波动，提升整体电源品质。在FPGA、DSP、MPU等高性能处理器的供电网络（PDN）中，它常被用作Bulk去耦电容，配合小型MLCC（如0402/0603封装）构建多级去耦架构，以应对快速动态负载变化带来的电压跌落问题。此外，在变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源等工业控制设备中，CB2518T6R8MV可用于中间直流链路的稳压与能量缓冲，增强系统的抗干扰能力和运行稳定性。在通信基础设施领域，如基站射频模块、光模块电源管理部分，该器件也发挥着关键作用，保障信号链前端供电的纯净度。由于其具备较高的耐压裕量和较大的电容量，CB2518T6R8MV还可用于某些模拟电路中的耦合与旁路应用，特别是在音频放大器或传感器信号调理电路中，帮助隔离直流分量并传递交流信号。对于需要长时间连续运行且环境条件较为严苛的应用场景，例如户外监控设备、新能源逆变器控制板等，该电容的宽温特性和高可靠性可显著提升整机的使用寿命与故障间隔时间（MTBF）。同时，因其符合AEC-Q200应力测试标准的部分要求，也在一定程度上支持汽车电子次级应用，如车身控制模块、车载信息娱乐系统等非动力总成相关电子单元。
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"GRM64MR71E685KA01K",
"C2518X5R1E685K190AE",
"CL25A685KOHNNT"
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